朱彬
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性被引量：1
- 2009年
- 通过测量1.55μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.分析了光电流的产生机制,测量了1.064μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应.从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素.
- 朱彬韩勤杨晓红
- 关键词：高功率势垒高度
- MEMS可调谐VCSEL的研究进展被引量：3
- 2007年
- 随着全光网络和DWDM系统的发展,MEMS可调谐VCSEL由于其优越的性能,有着相当广泛的应用前景。文章从结构差异上,将近几年来国际上的有关报道分成了单悬臂型,可变形介质模型,半对称腔型和掩埋隧道结型等四类,并对每一类型作了详细的介绍。
- 李文兵韩勤杨晓红朱彬
- 关键词：微机电系统
- 高功率共振腔增强型光电探测器研究进展被引量：4
- 2007年
- 共振腔增强型光电探测器(RCE-PD)作为一种新型光电探测器,具有高量子效率、高响应度和波长选择性等优点,成为目前光纤通信领域中最为重要的探测器之一。在数字和模拟光传输系统中,高功率探测器由于具有高信噪比、低插入损耗等优点,在国际上越来越受到重视。综述了这两种探测器的基本结构、发展状况,展望了其发展前景等。指出高功率共振腔增强型光电探测器将是今后最有发展前途的探测器。
- 朱彬韩勤杨晓红李文兵
- 关键词：光电探测器空间电荷效应饱和电流
- 一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法
- 本发明公开了一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法，该方法包括：用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片；对该外延片进行清洗，并对该外延片进行第一次光刻，光刻出单悬臂图形；采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有...
- 秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲李文兵
- 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法
- 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法，包括如下步骤：a>用分子束外延技术在(001)砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构，砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜；b>在晶...
- 李文兵韩勤秦龙杨晓红倪海乔杜云朱彬鞠研玲
- 文献传递
- GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟
- 2009年
- 采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学-机械模型对GaAs基1.55μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究。结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反向偏压为4 V,波长的调谐速率可以达到1.83 MHz。
- 秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲
- 关键词：密集波分复用调谐范围滤波器
- 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
- 2011年
- 报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
- 王秀平杨晓红韩勤鞠研玲杜云朱彬王杰倪海桥贺继方王国伟牛智川
- 关键词：量子线GAAS
- 利用C_6H_8O_7/H_2O_2溶液对Al_xGa_(1-x)As/GaAs的选择性腐蚀制作空气腔结构的研究
- 2007年
- 针对MEMS(micro-electro-mechanical system)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点。测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础。
- 李文兵韩勤杨晓红杜云朱彬倪海乔
- 关键词：MEMS
- 一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法
- 本发明公开了一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法，该方法包括：用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片；对该外延片进行清洗，并对该外延片进行第一次光刻，光刻出单悬臂图形；采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有...
- 秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲李文兵
- 文献传递
