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冯尚功

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇HBT
  • 2篇增益
  • 2篇整体性能
  • 2篇器件尺寸
  • 2篇外延层
  • 2篇小信号
  • 2篇高频
  • 2篇高频增益
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结晶体管
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇热阻
  • 1篇晶体管
  • 1篇GAAS_H...
  • 1篇GAINP
  • 1篇INGAP/...
  • 1篇INGAP/...
  • 1篇参数优化

机构

  • 4篇山东大学

作者

  • 4篇冯尚功
  • 3篇李惠军
  • 3篇陈延湖
  • 1篇余曙芬
  • 1篇郭琪

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
GaInP/GaAs异质结晶体管的无条件稳定特性研究
由于GaAs HBT功率器件在微波毫米波单片集成电路(MMIC)、高速数字电路、光通信、无线移动通讯基站系统、手机终端系统、军用雷达系统等方面的巨大应用前景，使之成为开发射频及微波功率放大器的主要技术之一。但由于GaAs...
冯尚功
关键词：参数优化
文献传递
一种提高HBT高频稳定性的方法
本发明公开了一种提高HBT器件高频稳定性的方法，该方法步骤如下：(1)首先选择K稳定因子为1的频率点f<Sub>K＝1</Sub>大于1GHz的HBT器件；(2)建立HBT器件的共发射极混合PI型小信号模型，利用该小信号...
陈延湖冯尚功李惠军
基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响被引量：1
2012年
研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因子η和热阻Rth与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理论公式。基于TCAD虚拟实验,观测了不同基区掺杂浓度和不同基区厚度分别对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响。结合理论公式,对仿真实验曲线进行了分析。结果表明,基区设计参数对热稳定性有明显的影响,其影响规律不是单调变化的。通过基区外延层参数的优化设计,可以改进多指HBT器件的热稳定性,从而为多指InGaP/GaAs HBT热稳定性设计提供了一个新的途径。
余曙芬陈延湖李惠军冯尚功郭琪
关键词：INGAP/GAASHBT热稳定性热阻
一种提高HBT高频稳定性的方法
本发明公开了一种提高HBT器件高频稳定性的方法，该方法步骤如下：(1)首先选择K稳定因子为1的频率点f<Sub>K＝1</Sub>大于1GHz的HBT器件；(2)建立HBT器件的共发射极混合PI型小信号模型，利用该小信号...
陈延湖冯尚功李惠军
文献传递
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