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基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响被引量：1: 2012年; 研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因子η和热阻Rth与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理论公式。基于TCAD虚拟实验,观测了不同基区掺杂浓度和不同基区厚度分别对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响。结合理论公式,对仿真实验曲线进行了分析。结果表明,基区设计参数对热稳定性有明显的影响,其影响规律不是单调变化的。通过基区外延层参数的优化设计,可以改进多指HBT器件的热稳定性,从而为多指InGaP/GaAs HBT热稳定性设计提供了一个新的途径。; 余曙芬陈延湖李惠军冯尚功郭琪; 关键词：INGAP/GAAS HBT 热稳定性热阻

多发射指异质结双极型晶体管的热稳定性研究: 多发射指结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管（简称HBT）器件较单发射极结构有更好的输出功率，常被应用为功率器件。然而多发射指结构InGaP/GaAs HBT器件的自热效应和指间热耦合效应引起器件温度和电流分布不均...; 余曙芬; 关键词：自热效应热稳定性

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余曙芬