戴丽萍
- 作品数：18 被引量：27H指数：4
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究
- 2014年
- 在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示,600℃退火后LO峰强度最强,认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明,600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时,漏电流密度仅仅只有5×10?8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO2的致密性。
- 钟志亲孙子茭葛微微郑禄达王姝娅戴丽萍张国俊
- 关键词：4H-SIC退火温度致密性SIO2
- 一种制备高质量ZnO薄膜的新型固相源
- 2007年
- 采用一种新型的单一固相源并利用单源化学气相沉积(SS CVD)技术,在Si(100)上制备出高质量的ZnO 薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和热重分析(TGA)表征源的化学和物理特性.FTIR测试表明该源具有新型的化学结构,其结构可用Zn4(OH)2(O2 CCH3)6·2H2O表示;TGA表明该源在常温下稳定,在211℃下能完全分解.所制备的ZnO薄膜采用X射线衍射、扫描电镜、X射线光电子能谱、光致发光谱进行了分析.分析结果表明,采用这种固相源能够制备出高质量的ZnP薄膜.
- 戴丽萍邓宏陈根陈金菊
- 关键词：ZNO薄膜光致发光
- 掺N的ZnO薄膜制备和性能研究
- 利用化学气相沉积法(CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H20为源,NH<,3>为掺杂气体制备出掺N的ZnO薄膜,并采用XRD、SEM、XPS、EDS和PL谱对薄膜的结构、形貌、成分和光学特性进行分析。结果...
- 毛飞燕邓宏戴丽萍汤采凡
- 关键词：化学气相沉积掺杂光学特性
- 文献传递
- 漂移区覆盖高k薄膜的高压LDMOS器件优化设计被引量：1
- 2012年
- 为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采用"高k薄膜+氧化层+场板"结构的功率器件,有效降低了PN结弯角高电场和场板边缘峰值电场。使用器件仿真工具MEDICI进行验证,并分析高k薄膜厚度、氧化层厚度、高k薄膜相对介电常数以及栅场板长度对器件性能的影响,最终实现了耐压达到820V、比导通电阻降至13.24Ω.mm2且性能稳定的LDMOS器件。
- 王伟宾赵远远钟志亲王姝娅戴丽萍张国俊
- 关键词：LDMOS器件场板击穿电压导通电阻
- 利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质被引量：1
- 2008年
- 利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜,采用XRD,霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析,研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响.结果表明,生长温度较低时,薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降,衬底温度为400℃时,载流子浓度达到+5.127×1017cm3?,电阻率为0.04706?.cm,迁移率为259cm2/(V.s),并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性.当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.
- 毛飞燕邓宏戴丽萍陈金菊袁兆林李燕
- 关键词：化学气相沉积法P型迁移率载流子浓度
- 基于SSCVD方法的a-b轴取向ZnO薄膜制备被引量：5
- 2006年
- 以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Singlesourcechemicalvapordeposition,SSCVD)在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析。研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中nZn∶nO=0.985。
- 陈根汤采凡戴丽萍邓宏
- 关键词：ZNO薄膜
- 掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响被引量：7
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内,从而使薄膜的禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示,ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成,通过掺入Cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移,这与透射谱中吸收带边的红移相吻合,由紫外发光峰得到的光禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致。对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较,发现Cd掺入量为8%摩尔分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能。
- 陈航邓宏戴丽萍陈金菊韦敏
- 关键词：溶胶-凝胶法红移
- CHF_3/Ar等离子体刻蚀BST薄膜的机理研究被引量：1
- 2011年
- 采用XPS方法,通过对刻蚀前后BST(钛酸锶钡)薄膜表面成分、元素化合态以及原子相对百分含量分析,探讨了CHF3/Ar等离子刻蚀BST薄膜的RIE(反应离子刻蚀)机理.研究结果表明,在刻蚀过程中,金属Ba,Sr,Ti和F等离子体发生化学反应并生成相应的氟化物且部分残余在薄膜表面,因为TiF4具有高挥发特性,残余物几乎没有钛氟化物.然而,XPS表明Ti-F仍然少量存在,认为是存在于Metal-O-F这种结构中,而O1s进一步证实了Metal-O-F的存在.基于原子的相对百分含量,我们发现刻蚀后薄膜表面富集氟,源于高沸点的氟化物BaF2和SrF2沉积,导致刻蚀速度仅达12.86nm/min.同时并没有发现C-F多聚物的形成,因此去除残余物BaF2和SrF2有利于进一步刻蚀.针对这种分析结果,本文提出对BST薄膜每4min刻蚀后进行1minAr等离子体物理轰击方案,发现残余物得以去除.
- 戴丽萍王姝娅束平钟志亲王刚张国俊
- 关键词：钛酸锶钡反应离子刻蚀光电子能谱
- 覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究被引量：4
- 2012年
- 通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。
- 葛微微张国俊钟志亲王姝娅戴丽萍
- 关键词：半导体功率器件结终端场限环
- ZnMgO基阻变存储器的制备及性能探究
- 2019年
- 采用磁控共溅射法在ITO衬底上制备了ZnMgO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和能谱仪(EDS)分析了其成分、结构特征,并对其I-V特性和阻变机理进行探讨。ZnMgO呈现六方纤维矿结构并具有良好的c轴取向,相比纯ZnO薄膜(002)衍射峰得到增强,表明Mg2+有效地融入ZnO晶格中并改善了晶格质量。薄膜中Mg与Zn的原子比为1:3.23。I-V测试指出薄膜具有典型的双极型阻变特性,在一定循环内具有优异的开关比(103~104),展示了良好的稳定性。进一步分析得出其高阻态和低阻态的阻变机理分别符合空间电荷限制电流模型和欧姆定律。
- 戴丽萍申野
- 关键词：ZNOZNMGO磁控溅射
