钟志亲
- 作品数：50 被引量：34H指数：4
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程文化科学更多>>
- Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究
- 2014年
- 在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示,600℃退火后LO峰强度最强,认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明,600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时,漏电流密度仅仅只有5×10?8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO2的致密性。
- 钟志亲孙子茭葛微微郑禄达王姝娅戴丽萍张国俊
- 关键词：4H-SIC退火温度致密性SIO2
- 立德树人视角下“微电子器件”课程思政建设研究
- 2023年
- 为落实立德树人的根本任务,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课程“微电子器件”的教师结合课程内容,解决了传统教学中单纯重视知识传授、缺乏与价值塑造与能力培养的有机融合等问题,在传授专业知识过程中,引入时事新闻、介绍业界老一辈科学家励志故事、解析专业知识点的象征隐喻意义,通过教师的言传身教、改革考核方式和产教交融等,从多角度融入课程思政,激发学生理想信念,树立学生科技报国的决心。课程问卷调查显示,绝大多数学生对专业课中融入思政元素的形式表示认同,认为可以给理论抽象、较难理解的专业课注入新鲜血液,帮助他们增强对知识点的记忆和理解,并且有效引领他们进行价值塑造。
- 钟志亲李小红
- 关键词：微电子器件立德树人
- 一种抗总剂量辐照的高压LDMOS器件
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体提供一种抗总剂量辐照的高压LDMOS器件，用以解决传统LDMOS器件在总剂量辐照后氧化层产生的电子‑空穴对中空穴被俘获形成陷阱电荷、进而导致器件电学特性发生改变的问题。本发明设置延长...
- 钟志亲黄岑
- 漂移区覆盖高k薄膜的高压LDMOS器件优化设计被引量：1
- 2012年
- 为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采用"高k薄膜+氧化层+场板"结构的功率器件,有效降低了PN结弯角高电场和场板边缘峰值电场。使用器件仿真工具MEDICI进行验证,并分析高k薄膜厚度、氧化层厚度、高k薄膜相对介电常数以及栅场板长度对器件性能的影响,最终实现了耐压达到820V、比导通电阻降至13.24Ω.mm2且性能稳定的LDMOS器件。
- 王伟宾赵远远钟志亲王姝娅戴丽萍张国俊
- 关键词：LDMOS器件场板击穿电压导通电阻
- 一种平行双触点接触式开关的制造方法
- 本发明公开了一种平行双触点接触式开关的制造方法，属于微机械体硅加工技术领域。本发明在沉积极板绝缘层后先刻蚀锚点，其余位置绝缘层保留下来，利用绝缘层将信号电极和驱动电极覆盖起来从而保护信号电极和驱动电极，去除种子层后再进行...
- 张国俊欧书俊王姝娅戴丽萍钟志亲
- 文献传递
- 一种基于反应离子刻蚀的钽酸锂微图形化方法
- 本发明公开了一种基于反应离子刻蚀的钽酸锂微图形化方法，属于半导体技术领域，具体涉及钽酸锂晶体微图形化，以解决各层材料间应力较大使图案易被破坏的问题，包括：在光刻胶表面依次镀Ti金属掩膜和Cr金属掩膜；用剥离法在钽酸锂基底...
- 曹明才钟志亲罗文博李茂荣戴丽萍王姝娅
- 文献传递
- CHF_3/Ar等离子体刻蚀BST薄膜的机理研究被引量：1
- 2011年
- 采用XPS方法,通过对刻蚀前后BST(钛酸锶钡)薄膜表面成分、元素化合态以及原子相对百分含量分析,探讨了CHF3/Ar等离子刻蚀BST薄膜的RIE(反应离子刻蚀)机理.研究结果表明,在刻蚀过程中,金属Ba,Sr,Ti和F等离子体发生化学反应并生成相应的氟化物且部分残余在薄膜表面,因为TiF4具有高挥发特性,残余物几乎没有钛氟化物.然而,XPS表明Ti-F仍然少量存在,认为是存在于Metal-O-F这种结构中,而O1s进一步证实了Metal-O-F的存在.基于原子的相对百分含量,我们发现刻蚀后薄膜表面富集氟,源于高沸点的氟化物BaF2和SrF2沉积,导致刻蚀速度仅达12.86nm/min.同时并没有发现C-F多聚物的形成,因此去除残余物BaF2和SrF2有利于进一步刻蚀.针对这种分析结果,本文提出对BST薄膜每4min刻蚀后进行1minAr等离子体物理轰击方案,发现残余物得以去除.
- 戴丽萍王姝娅束平钟志亲王刚张国俊
- 关键词：钛酸锶钡反应离子刻蚀光电子能谱
- 覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究被引量：4
- 2012年
- 通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。
- 葛微微张国俊钟志亲王姝娅戴丽萍
- 关键词：半导体功率器件结终端场限环
- 一种平行双触点接触式开关的制造方法
- 本发明公开了一种平行双触点接触式开关的制造方法，属于微机械体硅加工技术领域。本发明在沉积极板绝缘层后先刻蚀锚点，其余位置绝缘层保留下来，利用绝缘层将信号电极和驱动电极覆盖起来从而保护信号电极和驱动电极，去除种子层后再进行...
- 张国俊欧书俊王姝娅戴丽萍钟志亲
- 文献传递
- 一种硅基双区雪崩光电二极管
- 本发明涉及一种硅基双区雪崩光电二极管，包括：P型衬底、深N阱层、P阱层、N阱区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第一P+区、第二P+区、第三P+区、第四P+区、浅槽隔离区、第一阳极、第二阳极、阴极、衬底电极。其中P型...
- 钟志亲陈志刚罗翔
