李俊宏
- 作品数：9 被引量：23H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 采用增益自举的运算放大器
- 本文采用折叠cascode结构为辅助运放，套筒结构为主运放，实现了自举增益结构。从而达到了开环增益为105dB，单位增益带宽726MHz，建立时间9.4ns，摆率134V/us。该运放为全差分结构，主运放采用开关电容共模...
- 韩高凭李俊宏
- 关键词：运算放大器共模反馈开关电容差分结构
- 文献传递
- 抗辐射铁电存储器的研究进展被引量：7
- 2012年
- 在分析铁电存储器工作原理以及铁电薄膜材料抗辐射能力的基础上,综述了商业化铁电存储器的发展历程以及辐射实验结果。总结了抗辐射加固的铁电存储器的研究进展以及抗辐射加固的方法,展望了抗辐射铁电存储器的应用前景。
- 翟亚红李威李平胡滨霍伟荣李俊宏辜科
- 关键词：铁电存储器铁电材料铁电电容
- 一种基于标准CMOS工艺的低成本振荡器的设计被引量：8
- 2007年
- 提出了一种基于标准CMOS工艺的低成本环形补偿振荡器。由于采用了误差反馈补偿技术，该振荡器无需精准的电流源和电压源；利用电阻温度补偿和电源电压稳压，使振荡周期对温度、电压，以及工艺偏差均有较强的容忍能力，且周期大小易于调整。在输入电压范围为4．5～6V，温度范围-40～125℃，以及五个MOSFET工艺偏差的情况下，进行了Hspice仿真。结果表明，在最坏情况下，振荡器周期的最大偏差为7．5％，而在不考虑温度的情况下，由电压和MOSFET工艺变化所引入的振荡周期偏差为0．9％。该振荡器满足电源管理芯片要求，适合低成本DC／DC转换器、充电器等电源管理芯片的应用。
- 李俊宏李平胥锐
- 关键词：环形振荡器电源管理芯片
- 铁电晶体管存储器的读出电路设计
- 2014年
- 通过对铁电晶体管电学特性分析,提出了铁电晶体管的仿真模型,并设计了一种新型单管(1T)结构的读出电路。通过此模型进行了仿真验证,并与传统双管(2T)结构的电流放大读出电路的仿真结果进行对比,结果表明,新型1T结构读出电路在读出速度,可靠性及电路结构大小等方面均有提高。
- 何伟杨健苍翟亚红杨成韬李俊宏
- 关键词：仿真模型读出电路
- 抗辐射双极n-p-n晶体管的研究被引量：5
- 2011年
- 根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%—15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%—20%.
- 翟亚红李平张国俊罗玉香范雪胡滨李俊宏张健束平
- 关键词：电流增益抗辐射
- 一种高速低尖峰电流功率管驱动器电路的设计被引量：1
- 2011年
- 利用电荷泵自举原理,提出一种新颖的CMOS驱动电路。该电路在输入信号未进行开关操作时对电容充电,在开关操作发生时,由电荷泵电容和电源一起向负载电容充放电,从而可在不影响充放电时间的前提下降低电源对负载电容的充放电尖峰电流,减小电源噪声。该电路特别适合用来驱动采用高k介质或深槽隔离工艺的功率集成电路,可同时降低上升/下降沿时间和电源尖峰电流,并大幅减小芯片面积。采用中芯国际0.35μm标准CMOS工艺进行流片,测试结果表明,该电路可同时降低负载电容充放电尖峰电流与上升/下降沿时间。
- 李俊宏李平许剑波
- 关键词：电荷泵缓冲器
- 一种双极工艺下抗辐照PWM推挽转换电路的研究被引量：1
- 2011年
- 利用双稳态竞争原理,通过状态保持电路和状态转换电路的配合,实现一种基于双极器件的PWM推挽转换电路,该电路对辐照后双极器件的电流增益退化不敏感.采用华越双极2μm工艺进行流片而没有进行任何工艺加固.并在Co-60辐照源,5.6rad（Si）/s剂量率,100krad（Si）总剂量的条件下进行抗辐照实验,结果表明,单管的电流增益退化至55%~65%,而电路功能完全正常,PWM所驱动的功率管在低电平时完全截止,导通时压降仅提升了12%~22%.
- 李俊宏李平张国俊翟亚红许剑波
- 关键词：双极抗辐照脉冲宽度调制双稳态
- 铁电存储器单元信号的测试与研究被引量：1
- 2013年
- 基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电容值,得到所设计电路的最大信号电压差(即读出容差)为1.3V,实现了集成铁电存储器单元的正确读写,成功验证了电路读写功能的正确性和模型的准确性,为进一步开发铁电存储器奠定了基础。
- 翟亚红李威李平胡滨李俊宏辜科
- 关键词：铁电电容铁电存储器
- 基于逆流充电DC/DC升压变换器效率建模与分析
- 本文针对DC/DC升压变换器轻载的工作提出了一种逆流充电控制方式,该控制方式可在不增大输出电压纹波,不切换控制器控制方式的前提下提高轻载时的效率,在此基础上建立了逆流充电的效率模型,通过Hspice仿真验证了模型的正确性...
- 李俊宏
- 关键词：升压变换器充电控制充电效率
- 文献传递
