翟亚红
- 作品数：59 被引量：40H指数：4
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路
- 本发明公开了一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路，属于模拟集成电路设计领域。对模拟信号的采样，是从模拟信号转换到数字信号的关键一步，对模拟信号采样的精确程度将直接影响后续数字编码的准确性。本发明基于栅压自举开关电路，提...
- 李大刚李泽宏李平翟亚红何弢杨绍澎
- 基于HSIM的铁电电容性能的研究
- 2012年
- 基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性能,并由此优化铁电电容的性能,使之更匹配于电路特性。
- 毕长红罗玉香胡滨翟亚红辜科
- 关键词：铁电电容铁电存储器
- 一种基于忆阻器实现的硬件卷积神经网络模型
- 本发明公开了一种利用忆阻器所构建的卷积神经网络模型，涉及半导体集成电路和神经网络领域。所提出的卷积神经网络系统核心为忆阻器组成的卷积层和全连接层，以及与之配套的数据编码方法。本发明利用了忆阻器可实现多电阻态的特性，将卷积...
- 翟亚红王健竹
- 抗辐照双极器件
- 抗辐照双极器件，涉及电子器件技术。本发明包括半导体区、设置于半导体区上方的绝缘介质区和电极，所述半导体区包括设置于衬底内的基区、发射区、P+欧姆接触区，发射区和P+欧姆接触区之间的区域为间隔区；在绝缘介质区和半导体区上表...
- 翟亚红杨峰李珍李威张国俊
- 具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件及其制备方法
- 一种具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件，其特征在于，包括衬底，位于衬底之上的埋氧层，位于所述埋氧层之上的体硅层，位于所述体硅层之中、两侧的源区和漏区，位于体硅层之上的栅氧化层，位于所述栅氧化层之上的栅极叠层结构，所述栅...
- 翟亚红杨锋李珍李威李平
- 文献传递
- 一种应用于高精度ADC的斩波采样电路
- 本发明提供了一种应用于高精度ADC的斩波采样电路，属于模拟集成电路设计领域。采样电路是ADC中必不可少的部分，在高精度的ADC中采样的精度会直接影响后续的处理结果。一般的采样电路存在比较高的噪声和失调电压，为了降低噪声和...
- 李大刚李泽宏李平翟亚红何弢杨绍澎
- 一种脉冲神经网络在FPGA上的并行处理方案
- 本发明涉及一种脉冲神经网络在FPGA上进行加速的图像并行方法，在神经网络中，本来就有一些运算步骤是并行执行的，我们可以在FPGA上实现这些流程的并行运算，在无法实现并行运算的部分实现流水线运算，最大程度提升神经网络的推理...
- 翟亚红荣楠
- 电容及制备方法
- 电容及制备方法，涉及电子器件技术。本发明包括带有沟槽的衬底和设置于沟槽内的电容区，电容区包括自沟槽内表面向沟槽中心区域逐层顺次设置的扩散阻挡层、下电极、介质层和上电极，所述介质层的材料包含具有正交晶格结构的氧化铪。本发明...
- 翟亚红
- 文献传递
- 铁电存储单元单粒子效应的仿真与研究被引量：1
- 2014年
- 运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响。结合单粒子对MOS器件的影响,用电流模拟单粒子对存储单元的影响且进行仿真分析。仿真结果表明脉冲电流峰值越高,时间越长,铁电存储单元越容易翻转。经分析得出了铁电电容翻转是由瞬态电流脉冲产生的单位面积电荷量决定,最后解释了翻转的原因。
- 万义才翟亚红李平辜柯何伟
- 关键词：铁电电容铁电存储器单粒子效应电畴仿真模型
- 铁电负电容可测试性的仿真研究
- 2019年
- 铁电材料具有负电容特性,可应用于新一代超低亚阈值摆幅晶体管中。由于铁电负电容具有准静态特性,在实际测试中,难以直接观测到单独铁电电容的负电容现象。基于“Ginzburg-Landau”模型,采用TCAD软件,构建了紧凑的HfO2铁电电容结构,并通过仿真获得了匹配的RC电路参数,验证了负电容特性。同时,仿真研究了外加电压幅值与串联电阻阻值对铁电电容负电容效应可测试性的影响。
- 王步冉李珍谭欣翟亚红
- 关键词：铁电材料
