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郑亮

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇电极
  • 3篇栅压
  • 3篇肖特基
  • 3篇晶体管
  • 3篇GAN
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成器件
  • 2篇电路
  • 2篇电路板
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇调谐
  • 2篇叠层
  • 2篇叠压
  • 2篇堆栈
  • 2篇多层电路板
  • 2篇形变
  • 2篇照明
  • 2篇智能照明
  • 2篇生坯

机构

  • 16篇复旦大学

作者

  • 16篇陈琳
  • 16篇张卫
  • 16篇孙清清
  • 16篇郑亮
  • 11篇戴亚伟
  • 1篇黄伟

年份

  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
可调谐焦平面阵列器件及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种可调谐焦平面阵列器件及其制备方法。本发明制备方法的步骤为：在衬底上制作焦平面阵列；将所述焦平面阵列从衬底上分离；形成半球形聚合物转移支撑衬底；将所述焦平面阵列转移至所述半球形聚合物...
张卫郑亮陈琳孙清清
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一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明属于晶体管技术领域，具体涉及一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明隧穿场效应晶体管包括：二维材料层；分别位于所述二维材料层两侧的金属源极和金属漏极，金属源极和金属漏极具有不同的功函数，与二维材料层形成极性相反的电...
陈琳戴亚伟郑亮孙清清张卫
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一种GaN基功率二极管及其制备方法
本发明属于半导体功率电子器件技术领域，具体公开了一种GaN基功率二极管及其制备方法。该GaN基功率二极管包括：GaN衬底，具有第一掺杂浓度；GaN外延层，位于所述GaN衬底上，具有第二掺杂浓度，其中，所述第二掺杂浓度小于...
陈琳戴亚伟郑亮孙清清张卫
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一种GaN基集成器件及其制备方法
本发明属于光电技术领域，具体为一种GaN基集成器件及其制备方法。本发明器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底的发光二极管器件区，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型GaN层和顶电极；高电子迁移率晶体...
陈琳戴亚伟郑亮孙清清张卫
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漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件及其制备方法。本发明的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件包括：衬底、GaN/AlGaN叠层结构、源极、栅极和漏扩展结构；其中，漏扩展结构的一部...
黄伟察明扬陈琳郑亮孙清清张卫
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一种GaN基半导体器件及其制备方法
本发明公开一种面向四维集成的GaN基半导体器件及其制备方法。这种垂直堆栈集成的功率器件表现出高的驱动电流，同时也满足集成电路进一步微缩化的需求。其制备步骤包括：在绝缘GaN衬底上形成多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠...
戴亚伟陈琳郑亮孙清清张卫
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一种基于体GaN材料的单片集成器件及其制备方法
本发明提供一种基于体GaN材料的单片集成器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底上，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型GaN层和顶电极；以及Fin‑HEMT，位于所述GaN衬底上，包括多个鳍片、栅极...
陈琳郑亮戴亚伟孙清清张卫
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一种GaN基垂直晶体管及其制备方法
本发明公开一种GaN基垂直晶体管及其制备方法。该GaN基垂直晶体管包括：n型GaN衬底，其具有第一掺杂浓度；n型GaN外延层，其具有第二掺杂浓度，形成于n型GaN衬底上，第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度；第一p型GaN外延层...
陈琳郑亮戴亚伟孙清清张卫
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一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法
本发明属于半导体封装技术领域，具体为一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法。本发明方法包括：在陶瓷生坯上面形成对准孔、空腔和通孔；填充所述通孔；根据相应的电路设计印刷电路板上的线路布局；重复上述步骤制作其他层的电路...
张卫陈琳郑亮孙清清
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一种GaN基半导体器件及其制备方法
本发明公开一种面向四维集成的GaN基半导体器件及其制备方法。这种垂直堆栈集成的功率器件表现出高的驱动电流，同时也满足集成电路进一步微缩化的需求。其制备步骤包括：在绝缘GaN衬底上形成多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠...
戴亚伟陈琳郑亮孙清清张卫
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