2024年12月24日
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孙清清
作品数:
357
被引量:8
H指数:2
供职机构:
复旦大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家科技重大专项
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
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相关领域:
电子电信
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一般工业技术
金属学及工艺
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合作作者
张卫
复旦大学微电子研究院
陈琳
复旦大学
王鹏飞
复旦大学
王天宇
复旦大学
周鹏
复旦大学微电子研究院
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2006
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一种全透明的防水柔性有机忆阻器及其制备方法
本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件,包括:柔性衬底;底层电极,形成在柔性衬底上;经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层,形成在底层电极上;顶层电极,相互隔离分布在P...
陈琳
孟佳琳
王天宇
何振宇
孙清清
张卫
文献传递
一种采用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>作为栅极侧墙的方法
本发明公开了一种采用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>作为栅极侧墙的方法。采用原子层淀积工艺,不仅可以控制Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>栅极侧墙的横向尺寸,减小侧墙厚度,而且可...
徐岩
孙清清
张卫
文献传递
一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法
本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种使用超薄高介电常数材料层的SiC肖特基二极管及其制作方法。本发明在金属和SiC界面之间插入一超薄的高介电常数材料层,可以提高肖特基接触势垒高度,减小SiC表面态缺陷对肖特基势垒的...
孙清清
郑珊
房润辰
张卫
王鹏飞
周鹏
文献传递
利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上生长高k介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域,具体涉及一种利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上高k介质原子层沉积方法。本发明方法在石墨烯表面覆盖罗丹明缓冲层,通过原子层沉积实现高k介质在石墨烯表面的均匀淀积。利用罗丹明缓冲层是一种新颖的...
周鹏
沈于兰
孙清清
王鹏飞
张卫
文献传递
一种柔性可重构神经元器件及其制备方法
本发明公开一种柔性可重构神经元器件及其制备方法。该柔性可重构神经元器件包括:柔性衬底;底层电极,其为惰性金属,形成在所述柔性衬底上;二维半导体纳米片层,形成在所述底层电极上;高k铪基氧化物介质层,形成在所述二维半导体纳米...
王天宇
孟佳琳
陈琳
孙清清
张卫
一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制备方法
本发明属于磁场探测技术领域,具体为一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的四个隧道巨磁阻模块置于一个使用45度角的凹槽或者凸台结构的侧壁之上形成三维隧穿磁场传感器,使得三维磁场传感...
吴俊
张卫
王鹏飞
孙清清
周鹏
文献传递
一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法
本发明公开一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法,包括以下步骤:在衬底上外延生长多重第一Si层/沟道材料层/第二Si层叠层结构,且在各重第一Si层/沟道材料层/第二Si层叠层结构间形成隔离层;对所述第一Si层/沟道材料层/...
陈琳
李振海
王天宇
孟佳琳
孙清清
张卫
一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明提出的原位沉积系统包括沉积系统,进气、排气系统,管路控制系统,等离子体发生系统等。本发明所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括:刻蚀出需要沉积...
卢红亮
耿阳
杨雯
孙清清
张卫
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先进铜互连技术及产业化
张卫
丁士进
王鹏飞
孙清清
卢红亮
周鹏
该技术的主要研究内容是以集成电路发展过程中互连的瓶颈和重要科学问题为研究对象,在国家科技重大专项、国家自然科学基金委和国家重点基础研究发展计划(973计划)的共同资助下,以解决互连和多工艺集成等工艺为目标,研究全局互连和...
关键词:
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集成电路
互连技术
一种二维/零维混合结构的人工异质突触器件及制备方法
本发明公开一种二维/零维混合结构的人工异质突触器件及制备方法。该人工异质突触器件包括:柔性衬底;背栅电极,形成在柔性衬底上;隧穿层,形成在背栅电极上;电荷俘获层,其为零维量子点,具有电荷俘获功能,形成在隧穿层上;阻挡层,...
陈琳
孟佳琳
王天宇
孙清清
张卫
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