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董自明

作品数：34 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 24篇半导体
  • 22篇晶体管
  • 20篇场效应
  • 14篇导体
  • 13篇电荷
  • 12篇电荷补偿
  • 12篇衬底
  • 11篇双极
  • 10篇元素半导体
  • 10篇栅控
  • 9篇电场
  • 9篇埋层
  • 9篇场效应管
  • 8篇带隙
  • 8篇多环
  • 8篇漂移区
  • 8篇宽带隙
  • 8篇宽带隙半导体
  • 7篇纵向电场
  • 5篇双极型

机构

  • 34篇西安电子科技...

作者

  • 34篇董自明
  • 32篇杨银堂
  • 32篇段宝兴
  • 8篇曹震
  • 2篇吕建梅
  • 1篇袁嵩

年份

  • 9篇2021
  • 3篇2020
  • 8篇2019
  • 10篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明公开一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构中设置辅助耗尽衬底埋层于漏端下方，该埋层可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，从而突破由于纵向耐压受限而带来的电压饱和现象，同时该埋层还能够利...
段宝兴袁嵩董自明郭海君杨银堂
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一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向双扩散晶体管
本发明公开一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，同时该多环结构还能在表面横向电场和...
段宝兴杨银堂董自明
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一种栅控双极-场效应复合元素半导体基VDMOS
本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基VDMOS。该结构的衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料，基极与源极隔离，与栅极电连接，基极与栅极之间的连接材料为半导体材料，使得基极接入电压时基极电位大于栅极电位，栅...
段宝兴董自明杨银堂
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一种具有横纵向电场同时优化元素半导体横向超结双扩散晶体管
本发明公开一种具有横纵向电场同时优化元素半导体横向超结双扩散晶体管。该结构是在漏端的漂移区下方设置一个辅助耗尽衬底埋层，同时在漂移区下方、靠近辅助耗尽衬底埋层的衬底区域设置一个具有电荷补偿的衬底埋层。设置的辅助耗尽衬底埋...
段宝兴董自明杨银堂
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一种具有横纵向电场同时优化宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管
本发明公开一种具有横纵向电场同时优化宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管。该结构是在漏端的漂移区下方设置一个辅助耗尽衬底埋层，同时在漂移区下方、靠近辅助耗尽衬底埋层的衬底区域设置一个具有电荷补偿的衬底埋层。设置的辅助耗尽衬底...
段宝兴董自明杨银堂
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一种栅控双极-场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式，代替传统的氮化镓LDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。工作在关态时，器件的耐压特性与传统的氮化镓...
段宝兴董自明智常乐张一攀杨银堂
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高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有高K介质(High‑K Dielectric Pillar，HK)沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该器件主要是在器件的漏端形成深槽高K介质层，高K介质层的下端深...
段宝兴曹震王彦东董自明杨银堂
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一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向超结双扩散晶体管
本发明公开一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向超结双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，同时该多环结构还能在表面横向电场...
段宝兴董自明杨银堂
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一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明提出了一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)，该LDMOS器件主要特点是在器件漏端的下方通过异质外延技术形成宽禁带半导体SiC埋层。通过将漏端下方体内的高电峰场引入SiC埋层中，利用S...
段宝兴曹震吕建梅董自明师通通杨银堂
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一种栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管
本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管。该结构的衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料，基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶...
段宝兴董自明杨银堂
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