袁嵩
- 作品数：107 被引量：6H指数：1
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
- 一种具备过温保护能力的GaN智能功率芯片及其制备方法
- 本发明涉及一种具备过温保护能力的GaN智能功率芯片及其制备方法，GaN智能功率芯片包括：二维电子气结构、第一隔离凹槽、第二隔离凹槽、阴极、阳极、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极和若干功率器件电极；第一隔离凹槽和第二隔离...
- 袁嵩严兆恒江希李彦佐刘启帆何艳静弓小武
- 一种具有变K介质侧边的VDMOS器件
- 本发明公开一种具有变K介质侧边的VDMOS器件，该新型结构通过依次填充多种不同介电常数(K值)的介质构成的侧边层产生新的电场峰，调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布，增强了横向电场调制效应，使漂移区可以进行更高浓度的掺杂...
- 袁嵩段宝兴蔡海杨银堂
- 文献传递
- 一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法
- 本发明公开了一种具有新型漏极场板的GaN基HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN过渡层和势垒层，其中，在势垒层的上表面两端分别设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，在...
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- 一种具有高K介电沟槽的功率MOSFET器件及其制备方法
- 本发明公开了一种具有高K介电沟槽的功率MOSFET器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：第一金属层、N+衬底、N‑外延层以及主体结构层；其中，N‑外延层内设有若干沟槽阱结构，沟槽阱结构从N‑外延层的上表面向下延伸，且...
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- 文献传递
- 一种栅控垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明公开了一种栅控垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管，把晶体管的沟道区和JFET区从上表面和前后侧面用栅电极包裹起来，这样在正向导通时扩展的栅电极使器件沟道区与JFET区都形成多数载流子积累层，从而能明显减小导通...
- 段宝兴袁嵩杨银堂郭海君
- 新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件被引量：1
- 2014年
- 为了突破传统横向双扩散金属-氧化物-半导体器件(lateral double-diffused MOSFET)击穿电压与比导通电阻的极限关系,本文在缓冲层横向双扩散超结功率器件(super junction LDMOS-SJ LDMOS)结构基础上,提出了具有缓冲层分区新型SJ-LDMOS结构.新结构利用电场调制效应将分区缓冲层产生的电场峰引入超结(super junction)表面而优化了SJ-LDMOS的表面电场分布,缓解了横向LDMOS器件由于受纵向电场影响使横向电场分布不均匀、横向单位耐压量低的问题.利用仿真分析软件ISE分析表明,优化条件下,当缓冲层分区为3时,提出的缓冲层分区SJ-LDMOS表面电场最优,击穿电压达到饱和时较一般LDMOS结构提高了50%左右,较缓冲层SJ-LDMOS结构提高了32%左右,横向单位耐压量达到18.48 V/μm.击穿电压为382 V的缓冲层分区SJ-LDMOS,比导通电阻为25.6 mΩ·cm2,突破了一般LDMOS击穿电压为254 V时比导通电阻为71.8 mΩ·cm2的极限关系.
- 段宝兴曹震袁嵩袁小宁杨银堂
- 关键词：击穿电压比导通电阻
- 电场调制硅基和氮化镓基功率器件设计及建模
- 横向功率器件是功率集成电路技术（Power Integrated Circuits，PIC）的核心器件。作为横向功率器件的核心问题之一，改善器件击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系，始终是功率器件领域研究人员的主要任务。对...
- 袁嵩
- 关键词：横向功率器件解析模型
- 具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法
- 本发明公开了一种具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法，器件结构包括：N‑漂移区、P‑掺杂区、空穴阻挡层、P基区、N+源区、P+接触区、P‑沟槽区、第一栅极、源极以及欧姆接触区，P‑掺杂区位于N‑漂移区中...
- 何艳静张飞翔袁嵩弓小武
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- 一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，对绝缘介质层和各个层形成的界面在超临界流体下进行退火处理，同时，采用低温退火工艺，避免了高温的再氧化和材料分解，利用SCF态高渗透、高溶解以及...
- 袁嵩张世杰江希姜涛严兆恒何艳静弓小武
- 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管
- 本发明提出了一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管(VDMOS)，该结构主要是在器件栅电极下方的漂移区形成电荷补偿层并在侧壁填充高介电常数(High K)介质层。器件关断时电荷补偿层与High K...
- 段宝兴张琛袁嵩曹震赵逸涵师通通杨银堂
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