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吕贺

作品数：32 被引量：16H指数：2
供职机构：中国空间技术研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 3篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇单粒子
  • 8篇单粒子效应
  • 7篇总剂量
  • 7篇总剂量辐射
  • 4篇电参数
  • 4篇电参数测试
  • 4篇参数测试
  • 3篇单粒子烧毁
  • 3篇验用
  • 3篇元件
  • 3篇质子
  • 3篇碳化硅
  • 3篇偏置
  • 3篇重离子
  • 3篇总剂量效应
  • 3篇阻容元件
  • 3篇抗辐照
  • 3篇抗辐照加固
  • 3篇辐照加固
  • 3篇半导体

机构

  • 32篇中国空间技术...
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 32篇吕贺
  • 28篇梅博
  • 24篇于庆奎
  • 24篇张洪伟
  • 21篇孙毅
  • 15篇李鹏伟
  • 9篇罗磊
  • 8篇魏志超
  • 7篇唐民
  • 7篇王贺
  • 4篇李铮
  • 2篇张红旗
  • 2篇孙明
  • 2篇张大宇
  • 2篇刘艳秋
  • 2篇李勇
  • 2篇汪悦
  • 2篇孙佳佳
  • 1篇张涛
  • 1篇范晓明

传媒

  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇航天器环境工...
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇中国核学会2...

年份

  • 1篇2024
  • 10篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法
本发明涉及一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET总剂量效应试验。本发明可以解决SiC MOSFET的总剂量试验问题，实现了对SiC MOSFET复杂总剂量效应的验证，在试验过程中，...
于庆奎王贺曹爽孙毅梅博吕贺莫日根王乾元孙佳佳张洪伟
一种宇航用模拟开关备份特性试验方法
本发明公开了一种宇航用模拟开关备份特性试验方法，提出了基于备份应用验证电路的4种试验方法，覆盖了模拟开关在航天器中的实际应用状态，获得宇航用模拟开关电路的备份功能特性。本发明提出的宇航用模拟开关电路备份特性验证试验方法及...
莫日根梅博张洪伟马镇孙毅魏志超曹爽吕贺
一种便携式半导体器件辐射试验用嵌套结构低温存储装置
一种便携式半导体器件辐射试验用嵌套结构低温存储装置，其特征在于包括箱体、封盖、器件存放箱(4)；箱体包括外壳层(1)、隔热层(2)、金属层(3)；箱体通过安装在外壳层(1)表面的密封扣环与封盖实现锁定，隔热层(2)嵌套在...
李晓亮罗磊吕贺李嘉伟
文献传递
MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析被引量：1
2019年
为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge^+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV cm^2/mg。试验结果是:GaN HEMT性能未出现变化;MOS电容器发生了介质击穿失效,造成功率放大器功能失效。经验公式计算的单粒子介质击穿电压,与重离子试验结果基本吻合,得出MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效。研究表明,混合电路中无源的MOS电容器也会发生单粒子介质击穿失效,应用于空间环境时应进行单粒子效应评估。
于庆奎张洪伟张洪伟梅博孙毅吕贺梅博李鹏伟唐民吕贺文平
关键词：单粒子效应MOS电容器
一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法
本发明涉及一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET总剂量效应试验。本发明可以解决SiC MOSFET的总剂量试验问题，实现了对SiC MOSFET复杂总剂量效应的验证，在试验过程中，...
于庆奎王贺曹爽孙毅梅博吕贺莫日根王乾元孙佳佳张洪伟
文献传递
一种硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射加固工艺
一种硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射加固工艺，包括：选择合适掺杂浓度的硅外延片，通过四次氧化工艺，基区、发射区的光刻和杂质注入，重金属掺杂，合金化，钝化，刻蚀等工艺流程，可以制作出一种硅基PNP晶体管。本发明能大幅度降低电...
吕贺梅博安兆嵬孙毅王乾元曹爽莫日根李鹏伟于庆奎张洪伟赵玉玲张礼杨剑群
一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法
一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法，包括步骤：1)获得所述待测试对象辐照前的电参数测试结果；2)制作成多个辐照试验线路板，分别进行不同剂量率、不同偏置的电离辐照试验，获得多个辐照剂量点的电参数测试结果；3)确定所述待测...
吕贺李鹏伟孙明张洪伟梅博于庆奎李兴冀杨剑群
文献传递
一种抗单粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法
本发明提供一种抗单粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法，旨在提升航天器用高压快恢复整流二极管抗辐照能力，为新一代航天器提供元器件保障。针对高能粒子辐照下高压快恢复整流二极管容易在主结边缘处形成失效点这一现象，本发明提出...
莫日根廖新芳梅博袁强于庆奎孙毅吕贺范晓明
文献传递
一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法
一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法，包括步骤：1)获得所述待测试对象辐照前的电参数测试结果；2)制作成多个辐照试验线路板，分别进行不同剂量率、不同偏置的电离辐照试验，获得多个辐照剂量点的电参数测试结果；3)确定所述待测...
吕贺李鹏伟孙明张洪伟梅博于庆奎李兴冀杨剑群
文献传递
一种单粒子锁定效应防护电阻的甄选方法和系统
本发明公开了一种单粒子锁定效应防护电阻的甄选方法和系统，所述方法包括：根据获得的待防护对象的单粒子锁定效应电参数测试结果，给出锁定电流值；对待防护对象的正常工作电性能条件进行分析，确定待防护对象在工作条件下的正常工作电压...
李鹏伟张洪伟李勇张宇飞赵亚飞吕贺梅博李晓亮
文献传递
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