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孙毅: 作品数：55 被引量：31H指数：3; 供职机构：中国空间技术研究院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术理学更多>>

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一种SRAM型FPGA单粒子翻转效应仿真方法: 一种SRAM型FPGA单粒子翻转效应仿真方法，包括如下步骤：1：获取待仿真器件的设计和工艺参数；2：使用建模工具构造器件的三维几何形状，并设定器件掺杂的区域、浓度以及离散化策略等；3：根据器件的I-V特性曲线，对器件的工...; 祝名张磊罗磊于庆奎孙毅唐民; 文献传递

一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法: 本发明涉及一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET总剂量效应试验。本发明可以解决SiC MOSFET的总剂量试验问题，实现了对SiC MOSFET复杂总剂量效应的验证，在试验过程中，...; 于庆奎王贺曹爽孙毅梅博吕贺莫日根王乾元孙佳佳张洪伟

一种对应用加固器件进行单粒子效应评估的试验方法: 本发明涉及一种对应用加固器件进行单粒子效应评估的试验方法，特别涉及与空间环境结合的应用加固器件单粒子效应评估试验方法，属于粒子辐照测试技术领域。本发明的方法能够更加准确地测试器件采取的EDAC、TMR、定时刷新等应用加固...; 罗磊孙毅于庆奎张洪伟梅博李晓亮; 文献传递

重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究被引量：1: 2023年; 针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照后栅应力(PIGS)测试。试验结果发现,50~100 V偏置电压下,离子引起瞬态电流,PIGS测试栅失效。分析认为离子引起栅氧化物潜在损伤,PIGS测试过程中,潜在损伤进一步退化导致栅失效。氧化物潜在损伤不仅与辐照偏置电压有关,还与入射离子LET和注量有关。PIGS测试需要的栅应力时间与潜在损伤程度有关,可超过300 s。并给出了电荷累积损伤模型。模型进行SiC MOSFET单粒子效应评估时,应考虑离子引起栅氧化物潜在损伤的影响,需根据轨道和任务周期确定试验离子注量,根据应用情况确定辐照偏置电压,并评估确定PIGS测试栅应力时间。; 于庆奎曹爽张琛睿孙毅孙毅王乾元梅博魏志超张洪伟王贺柏松; 关键词：单粒子效应单粒子烧毁

探测修正存储器两位错误的低冗余加固方法及电路装置: 本发明属于抗辐射集成电路设计领域的一种低冗余修正两位错误的存储器加固方法和电路装置，包括如下步骤：步骤1：构造线性码的低冗余修正两位错误的奇偶校验矩阵H；步骤2：生成各个奇偶校验矩阵H的列向量，确定<Image file...; 祝名张磊罗磊朱恒静于庆奎孙毅; 文献传递

SiC器件在轨漏电流预估方法: 一种预估高压功率SiC器件在轨重离子引起漏电流的方法，包括：获得入射到芯片表面的所有重离子诱导产生漏电值的数据；将试验获得的数据，通过拟合，积分方法，转化为重离子诱导芯片漏电值的敏感面积；将概率分析获得的器件敏感面积同空...; 张琛睿于庆奎曹爽沈立志王乾元孙毅梅博莫日根吕贺张洪伟

GaAs器件空间位移损伤等效试验用质子能量选择研究: 针对位移损伤等效试验质子能量选择问题,对比分析了GaAs器件性能退化随入射质子能量的变化规律,结合利用Geant4计算的质子在材料中的非电离能损(NIEL)分析,得出质子能量在50 MeV以上范围,位移损伤等效试验原理对...; 于庆奎李铮罗磊孙毅梅博李鹏伟李晓良吕贺唐民; 关键词：GAAS 质子

用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法: 本发明涉及一种用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法，该方法考虑入射质子方向与器件沟道宽度的方向的相关性，给出了进行低能质子单粒子试验时的质子入射方向、角度的选取方法和确定原则；同时给出了金属膜粗调降能和空气...; 孙毅于庆奎罗磊魏志超唐民梅博吕贺李铮; 文献传递

化合物器件空间连续谱质子位移损伤地面等效评估方法: 本发明涉及化合物器件空间连续谱质子位移损伤地面等效评估方法，该方法能够用于指导评估宇航用化合物器件在空间辐射环境中因位移损伤效应造成的性能退化情况，获得器件抗位移损伤能力的准确数据，为器件抗辐射加固设计提供依据，也为宇航...; 于庆奎孙毅罗磊张洪伟唐民陈佳怡

一种基于监测限流单元的减缓SiC二极管单粒子烧毁的方法: 本发明涉及一种基于监测限流单元的减缓SiC二极管单粒子烧毁的方法，步骤如下：步骤1，计算任务轨道环境的空间粒子LET能谱，根据任务需求确定高能粒子LET阈值；步骤2，根据SiC二极管的应用状态，确定最大关态电压；步骤3，...; 曹爽于庆奎孙毅梅博吕贺王乾元莫日根李鹏伟魏志超张洪伟