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GaN转移电子器件的性能与基本设计: 2008年; 基于GaN转移电子器件最基本的工作模式——畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子器件的理想最大输出功率,结果表明GaN转移电子器件在功率输出方面具有很大优势.最后还讨论了GaN转移电子器件在畴渡越时间模式下,能够产生稳定Gunn振荡的两个基本条件,即电子浓度N与器件有源区长度L乘积要大于该器件的设计标准((NL)0=6.3×1012cm-2)及有源区的掺杂浓度N要小于临界掺杂浓度Ncrit(3.2×1017cm-3).本工作揭示出GaN转移电子器件在高频率和大功率输出方面都具有重要优势,作为大功率THz微波信号源将具有广阔的应用前景.; 邵贤杰陆海张荣郑有炓李忠辉; 关键词：GAN 最高频率

GaN基发光二极管的效率弱化问题与转移电子器件研究: Ⅲ族氮化物半导体材料是直接带隙半导体材料，禁带宽度根据合金组分不同，可以在0.7～6.2 eV之间连续调节，覆盖了从红外到紫外的广阔光谱区域，很适合用于制造固态发光照明器件。到现在为止，Ⅲ族氮化物在发光领域取得了极大的成...; 邵贤杰; 关键词：氮化镓发光二极管

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邵贤杰