陆海
- 作品数：158 被引量：17H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H-SiC雪崩光电探测器
- 本发明公开了一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为弧形钝化介质终端。本发明终端通过区域离子注入和高温氧化工艺形成一种弧形钝化介质终端台面，解决了SiC ...
- 周东陆海徐尉宗任芳芳周峰
- 一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法
- 本发明公开了一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法，涉及宽禁带半导体辐照特性测试领域，所述装置包括光路耦合系统、电路测试系统、温度控制系统和交互控制系统；光路耦合系统控制激光入射参数，反馈待测宽禁带功率器件表面...
- 周峰周天扬陆海徐尉宗周东任芳芳
- 一种具有冲击能量释放能力的GaN HEMT晶体管及其制作方法
- 本发明公开一种具有冲击能量释放能力的GaN HEMT晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。晶体管包括自下而上依次设置的衬底层、氮化镓层、势垒层和栅极结构，势垒层两外侧的氮化镓层顶面分别设置有源极和漏极，栅极结构靠近源极...
- 周峰荣玉陆海徐尉宗周东任芳芳
- 湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错
- 2008年
- 采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1∶1的KOH-NaOH溶液加入质量分数为10%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化腐蚀温度400℃、腐蚀时间2.5min。通过对GaN样品表面及剖面的扫描电子显微镜(SEM)图像和阴极荧光CL谱线图、影像图的分析,获得了GaN薄膜中存在的螺位错、刃位错和混合位错的分布特性及密度,并发现薄膜中的位错自衬底沿生长方向延伸,且随薄膜厚度的增加而密度减少。实验还研究了腐蚀前后GaN光学性质的改变,发现造成影像图中位错被明亮的六角坑包围的原因是应力自衬底沿生长方向逐步释放影像,致使逐层腐蚀后薄膜的CL谱带边发光峰红移,且发光强度增强。
- 赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓
- 关键词：氮化镓位错扫描电子显微镜
- 高增益4H-SiC基PIN雪崩紫外光电探测器
- 4H-SiC基宽带隙半导体材料具有高热导率,高饱和迁移率,高辐射硬度,杰出的化学机械稳定性以及成熟的材料制备技术,成为制备高量子效率、低漏电流和高增益雪崩日盲紫外光电探测器的理想材料.
- 周东陆海任芳芳陈敦军张荣郑有炓
- 铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
- LiNbO<Sub>3</Sub>/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯...
- 谢自力张荣严文生修向前韩平陈鹏陆海赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
- 文献传递
- GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长
- ＜正＞由于 GaN 和 Ge 之间带隙宽度相差很大（～2.7eV）,Ge/GaN 异质结可用于宽波段太阳能电池、背照式双色探测器和异质结双极性晶体管（HBT）等器件的研制。在 HBT 器件中,异质结材料较大的带宽差异可以...
- 王荣华韩平曹亮王琦梅琴夏冬梅谢自力陆海陈鹏顾书林张荣郑有炓
- 关键词：GANINNCVD
- 文献传递
- 具有氮掺杂InGaZnO界面插入层的高稳定性非晶InGaZnO基薄膜晶体管
- 非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)具有高的迁移率、高的光学透过率、低的制备温度和低成本等优点,因此在下一代平板显示中有着重要的应用.尽管a-IGZO TFT表现出了较好的器件性能,但是其在栅极正偏压下的...
- 黄晓明武辰飞任芳芳张荣郑有炓陆海
- GaN HEMT栅偏置电压与反向传导电压的解耦合研究
- 2024年
- 第三代宽禁带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的反向传导特性由于受到栅极偏置的控制作用,限制了器件在双向DC/DC变换器等场景中的实用化发展。通过采用源极控制p-GaN区域的结构设计,使得部分异质结导电沟道受到源极控制,实现了反向传导电压与栅极偏置电压的解耦合,有效解决了负栅偏压下器件的反向传导特性退化难题。研究表明,当器件p-GaN层上方的源控金属块和栅极金属块长度比值为1∶1时,有利于实现正向与反向传导性能的最佳折中。在150℃高温下,采用新结构设计的GaN HEMT维持了低开启反向传导能力。双脉冲动态开关测试表明,器件具有快速开关能力。器件制备工艺简单,兼容现有的GaN HEMT工艺流程,有望促进GaN功率半导体器件技术在变换器应用领域的实用化发展。
- 周峰荣玉郑有炓陆海
- 关键词：双向变换器
- 新一代宽禁带半导体紫外光电探测器
- 2016年
- 伴随着紫外辐照在国防、科学研究和民用领域的广泛应用,半导体紫外探测技术也随之快速发展。以Ⅲ族氮化物和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料是近年来国内外重点研究和发展的第三代半导体材料,具有优良的材料性能,是制备紫外探测器的理想材料。文中通过介绍Ⅲ族氮化物和碳化硅紫外探测器的技术现状,对其未来技术发展和应用了进行相关探讨。
- 周东陆海陈敦军任芳芳张荣郑有炓
- 关键词：宽禁带紫外探测器碳化硅
