王国伟
- 作品数：12 被引量：37H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究被引量：1
- 2016年
- 系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77K下峰值探测率分别为8.5×101 2cmHz1/2/W和2.4×108cmHz1/2/W.最后制备完成了50%截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.
- 任洋郝瑞亭刘思佳王国伟徐应强牛智川
- 关键词：分子束外延INASSB中波红外探测器
- 镍基单晶高温合金的激光成形工艺及其计算模拟
- 使用复杂型腔单晶高温合金涡轮叶片已经成为提升航空发动机和燃气轮机整体性能的关键手段,但沿用传统熔模精密铸造技术制备涡轮叶片工序繁冗复杂,周期较长,且不能随意设计内部冷却型腔结构。金属材料的激光3D打印技术以其独特的工艺特...
- 王国伟
- 关键词：单晶高温合金激光重熔激光熔覆实时模拟
- 文献传递
- 中波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器被引量：6
- 2015年
- 由分子束外延生长的GaSb基的InAs/GaSb超晶格材料具有良好的均匀性,其在制作红外焦平面探测器方面有独特的优势。分别采用生长中断和表面迁移率增强的分子束外延法在GaSb衬底上生长了中波段InAs/GaSb超晶格红外探测器材料,对比表明对于中波超晶格材料,生长中断法优于表面迁移率增强法。利用标准工艺制作了中波红外PIN单元探测器,并制备了320×256的焦平面探测器芯片。
- 向伟王国伟徐应强郝宏玥蒋洞微任正伟贺振宏牛智川
- 关键词：红外焦平面探测器分子束外延
- 掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性被引量：3
- 2012年
- 分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.
- 陈燕邓爱红汤宝王国伟徐应强牛智川
- 关键词：原子力显微镜正电子湮没X射线衍射
- 2～5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器被引量：1
- 2011年
- 采用分子束外延方法在GaSb和GaAs衬底上生长了不同周期厚度的InAs／GaSb高质量II型能带结构超晶格红外探测器，其探测波长覆盖2～5μm红外波段。采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学质量。该材料用于制造2～5μmGaAs基与GaSb基InAs／GaSb超晶格红外探测器。在77K温度下，2μm波段GaAs基InAs／GaSb超晶格红外探测器探测率为4×10^9cm·Hz^1/2／w，5μm波段GaSb基InAs／GaSb超晶格红外探测器探测率为1．6×10^100cm·Hz^1／2／W。
- 徐应强汤宝王国伟任正伟牛智川
- 关键词：INAS/GASB超晶格红外探测器分子束外延
- 压力旋流喷染技术在血涂片染色中的研究与应用被引量：1
- 2022年
- 针对人工滴染血涂片出现的染色不均匀、效率较低等问题,提出一种基于压力旋流雾化喷头对血涂片进行喷染的方法。采用数值模拟与实验相结合的方法对瑞氏-姬姆萨染液雾化过程进行分析,并探索最佳喷染参数。首先利用ANSYS软件仿真计算染液在喷头内部的流动状态,然后使用相机和喷雾激光粒度仪搭建喷头外部雾化场实验平台,喷头外部入口压力分别选取0.10、0.12、0.14、0.16、0.18、0.20、0.22、0.24 MPa,测量染液的雾化角以及喷头正下方10~50 mm的雾化区域内测量点的雾滴粒径参数(D_(v10),D_(v90)和雾滴体积中径D_(v50)),计算粒度分布跨度S,并在此基础上开展血涂片喷染研究,并对比了人工滴染和喷染后的细胞图像背景灰度参数。仿真结果表明:染液在压力旋流雾化喷头出口处形成高速液膜,为形成雾化场提供理论依据。实验结果表明:当喷头入口压力为0.20 MPa时,距离喷头正下方35 mm处喷染界面具备最优的雾化质量,此时喷头雾化角为76.13°,雾滴体积中径为75μm,雾滴粒度分布跨度为1.72。基于该参数条件进行喷染后的细胞图像背景灰度参数与滴染相比存在显著性差异(P<0.01),喷染后的细胞图像背景灰度显著降低。研究结果表明,压力旋流雾化喷头可以应用于血涂片染色,并且喷染后的血涂片染色均匀,具备良好的染色效果,为血涂片染色提供了新的方案。
- 王国伟李旺鑫梅茜董文飞
- 关键词：喷染血涂片粒径分布
- 大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文）被引量：6
- 2016年
- 通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000Hz,占空比为5%的脉冲工作模式下,最大激射功率为2.278W.
- 廖永平张宇杨成奥黄书山柴小力王国伟徐应强倪海桥牛智川
- 关键词：大功率激光二极管中红外
- GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面（英文）被引量：2
- 2017年
- 系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1.
- 郝瑞亭任洋刘思佳郭杰王国伟徐应强牛智川
- 关键词：锑化镓原子力显微镜
- 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
- 2011年
- 报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
- 王秀平杨晓红韩勤鞠研玲杜云朱彬王杰倪海桥贺继方王国伟牛智川
- 关键词：量子线GAAS
- 长波段InAs/GaSb超晶格材料的分子束外延研究被引量：5
- 2013年
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格作为红外探测材料具有优越的光电性能,其量子效率高,暗电流小,微带带隙可调,是第三代红外焦平面探测器的最优选材料。本文对长波段超晶格材料分子束外延技术进行了优化,设计了"两步法"界面控制技术,制备了高质量的77 K光致发光(PL)、发光波长为8.54μm的长波段超晶格材料。研究了表面迁移率增强法外延长波段超晶格的缺陷形成机制和应变平衡机制,发现InSb界面在低温生长及过量淀积的情况下存在二维生长的特性。在上述方法基础上外延长波段超晶格红外探测器材料,利用标准工艺技术成功制备长波段PIN型红外探测器,其50%截止波长为8.72μm,峰值探测率达到了8.1×1010cm·Hz1/2/W。
- 王国伟牛智川徐应强王娟邢军亮
- 关键词：INAS分子束外延
