倪海桥
- 作品数：163 被引量：71H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- p-GaAs体材料中电子自旋动力学研究:空穴屏蔽效应
- 半导体自旋动力学的研究对于实现自旋相关的器件和基础物理都有着重要的意义[1].近年来,人们对于半导体量子阱[2]以及n-GaAs[3]体材料中的电子自旋弛豫和退相干过程及其物理机制开展了大量研究工作.
- 赵春勃闫腾飞牛智川倪海桥张新惠
- 利用半导体激光器实现全息光刻的装置
- 本发明公开了一种利用半导体激光器实现全息光刻的装置，可以应用于半导体光电器件技术领域。该装置包括：激光发射组件，检测组件和干涉装置。激光发射组件包括：蓝光激光二极管，准直透镜，驱动/温控模块，光栅构成光栅外腔结构，用于产...
- 尚向军牛智川倪海桥苏向斌王国伟刘汗青李叔伦戴德琰
- 四波长输出半导体激光器及其制备方法
- 一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、...
- 魏思航张宇廖永平倪海桥牛智川
- GaAs/InAs纳米线量子点的单光子发射研究
- 本文描述了基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点的可控分子束外延生长，设计了一种新型分义纳米线腔结构并研究了其单光子发射效应。采用VLS生长机制，在Si基上利用Ga液滴白催化形成的GaAs纳米线，白组织生长的InAs量子点...
- 喻颖牛智川李密锋查国伟王莉娟徐建星尚向军倪海桥
- 关键词：化合物半导体分子束外延生长单光子
- 文献传递
- 共振隧穿二极管近红外探测器
- 一种共振隧穿二极管近红外探测器，包括：一衬底；一集电区接触层，其制作在衬底上，集电区接触层一侧的上面形成一台面；一集电区，其制作在集电区接触层上台面的一侧，该集电区为圆形；一吸收层，其制作在集电区上；一空穴堆积层，其制作...
- 裴康明倪海桥詹锋董宇牛智川
- 文献传递
- 共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件优化被引量：2
- 2015年
- 对一种共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件进行了研究。对探测器结构进行设计,研究了不同Al束流和不同生长温度下In0.52Al0.48As材料的生长质量,结合X射线衍射及原子力显微镜测试结果确定了In0.52Al0.48As材料的最佳生长条件。研究了不同Ga束流下In0.53Ga0.47As材料的生长质量,并采用一种衬底变温的生长方法解决了恒温生长较厚In0.53Ga0.47As外延层时表面容易出现点状突起的问题,获得了平整的In0.53Ga0.47As外延表面。分别采用恒温和变温的生长方法制备了探测器样品,并对其电流-电压特性及光响应进行了测试,测试结果表明,采用变温生长方法制备的探测器样品具有更高的峰值电流和光响应。
- 董宇王广龙倪海桥陈建辉乔中涛裴康明李宝晨牛智川
- 关键词：探测器分子束外延共振隧穿二极管
- 单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备
- 2008年
- 通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2。这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中。
- 方志丹崔碧峰黄社松倪海桥邢艳辉牛智川
- 关键词：单光子源低密度量子点
- 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，包括：单晶硅衬底表面清洗，装入磁控溅射装置生长室；在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜；在硫化锌薄膜上沉积一层...
- 张立春王国伟张宇徐应强倪海桥牛智川
- 文献传递
- 利用两步生长法制备均匀高密度InAs/GaAs量子点
- 本文利用分子束外延系统,应用两步生长方法制备出高密度且尺寸分布比较均匀的InAs/GaAs量子点(QDs).原子力显微镜图像表明制备出密度约6.0×1010cm-2且尺寸分布比较均匀的QDs.很强的光致荧光和窄的半高宽表...
- 黄社松詹峰赵欢吴东海方志丹倪海桥牛智川
- 关键词：分子束外延量子点INAS
- 文献传递
- 锑化物半导体低维材料与红外光电器件
- 牛智川徐应强王国伟张宇倪海桥尚向军夏建白
