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文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 10篇石墨
  • 10篇石墨烯
  • 10篇衬底
  • 5篇绝缘
  • 5篇绝缘体
  • 4篇气泡
  • 4篇离子
  • 4篇键合
  • 3篇退火
  • 2篇导电
  • 2篇导电型
  • 2篇钝化层
  • 2篇针尖
  • 2篇探针
  • 2篇退火处理
  • 2篇硼掺杂
  • 2篇氢气
  • 2篇微波处理
  • 2篇微裂纹
  • 2篇离子注入

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇狄增峰
  • 15篇张苗
  • 15篇贾鹏飞
  • 14篇薛忠营
  • 8篇王曦
  • 7篇马骏
  • 6篇王刚
  • 6篇郑晓虎
  • 2篇戴家赟
  • 2篇陈达
  • 2篇汪子文

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法
本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法,制备方法包括:提供一衬底;于衬底上表面形成氢钝化层和位于氢钝化层上表面的石墨烯层;将一探针置于石墨烯层上,并给探针施加一预设电压,以激发探针对应位置的部分氢钝化层转换...
狄增峰贾鹏飞薛忠营郑晓虎张苗王曦
一种去除石墨烯上光刻胶的方法
本发明提供一种去除石墨烯上光刻胶的方法,包括:提供表面具有石墨烯的衬底;在所述石墨烯上形成氮化硅层;在所述氮化硅层上涂覆光刻胶,并进行需要光刻胶的后续工艺处理;利用丙酮浸泡去除部分所述光刻胶;利用氢氟酸浸泡去除所述氮化硅...
狄增峰贾鹏飞薛忠营郑晓虎王刚马骏张苗王曦
文献传递
一种二维材料层及制备方法
本发明提供一种二维材料层及制备方法,包括步骤:提供一衬底,于衬底上表面形成二维材料层;采用导电型针尖扫描所述二维材料层的上表面,所述导电型针尖具有激发电压。本发明的二维材料层及制备方法能很大程度降低界面的摩擦,从而延长器...
张苗陈玉龙狄增峰薛忠营贾鹏飞
文献传递
具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法
本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法,制备方法包括:提供一衬底;对衬底进行处理,以于衬底的表面形成一离子膜层;提供一石墨烯层,并转移石墨烯层至离子膜层的表面;将一探针置于石墨烯层上,并给探针施加一预设电压...
狄增峰贾鹏飞薛忠营孙银波马骏张苗王曦
文献传递
一种绝缘体上材料的制备方法
本发明提供一种制备绝缘体上材料的方法,包括以下步骤:S1:提供一衬底;S2:在所述衬底表面依次外延第一材料层、硼掺杂第一材料层及第二材料层;S3:重复步骤S2至少一次;S4:进行离子注入,使离子注入到最远离所述衬底的所述...
狄增峰贾鹏飞薛忠营陈达马骏张苗
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一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法
本发明提供一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法,包括如下步骤:S1:提供一锗基石墨烯,所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯;S2:对所述锗基石墨烯进行离子注入,以在所述石墨烯中产生点缺陷;S3:对所述锗基石...
狄增峰马骏张苗薛忠营贾鹏飞汪子文王刚王曦
一种应变量子点的制备方法及应变量子点
本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤:在标的材料上形成光刻胶,在所述光刻胶上形成多个注入窗口,进行H<Sup>+</Sup>离子或He离子注入,去除所述光刻胶,进行退火处理,使所述标的...
张苗贾鹏飞薛忠营郑晓虎王刚孙银波狄增峰王曦
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一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法
本发明提供一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法,包括如下步骤:S1:提供一Ge衬底,对所述Ge衬底进行离子注入;S2:进行退火,使所述Ge衬底中的注入离子至少有一部分析出到所述Ge衬底表面,以增加所述Ge衬底表面的石墨...
狄增峰马骏张苗王刚贾鹏飞汪子文王曦
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一种绝缘体上石墨烯的制备方法
本发明提供一种绝缘体上石墨烯的制备方法,包括:提供一牺牲衬底;于牺牲衬底表面形成一层石墨烯层;于石墨烯层表面形成一层介质层;提供一支撑衬底,并将上述得到的结构键合于支撑衬底的上表面,介质层与支撑衬底上表面相接触;通过氧化...
薛忠营王天波贾鹏飞狄增峰张苗
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一种二维材料层及制备方法
本发明提供一种二维材料层及制备方法,包括步骤:提供一衬底,于衬底上表面形成二维材料层;采用导电型针尖扫描所述二维材料层的上表面,所述导电型针尖具有激发电压。本发明的二维材料层及制备方法能很大程度降低界面的摩擦,从而延长器...
张苗陈玉龙狄增峰薛忠营贾鹏飞
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共2页<12>
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