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赵晓蒙

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇INSB
  • 1篇电学
  • 1篇性能分析
  • 1篇探测率
  • 1篇探测器
  • 1篇锑化铟
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇重掺杂
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇INSB薄膜
  • 1篇材料结构
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇曾一平
  • 3篇张杨
  • 3篇赵晓蒙
  • 1篇李弋洋
  • 1篇杨秋旻
  • 1篇崔利杰

传媒

  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高迁移率InSb薄膜的生长及其电学性能分析
采用分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了高迁移率的InSb薄膜,样品的厚度在0.9～1.1 μ m之间,通过优化薄膜生长的参数(包括生长温度,Ⅲ/Ⅴ),在没有插入任何缓冲层的情况下获得了迁移率高达4460...
赵晓蒙张杨曾一平
关键词：INSB分子束外延
锑化铟量子阱材料结构生长和特性研究
本论文主要研究了在GaAs 衬底上生长InSb 量子阱的生长参数对量子阱载流子传输特性的影响.InSb 量子阱采用InAlSb/InSb 的超晶格缓冲层,势磊采用InAlSb 三元合金.通过对InAlSb/InSb 的超...
赵晓蒙董海云崔利杰李弋洋杨秋旻张杨曾一平
制作InSb红外探测器的材料结构及制备方法
一种制作InSb红外探测器的材料结构及制备方法，其中所述制作InSb红外探测器的材料结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一n型InSb重掺杂层，其生长在缓冲层上；一InSb本征吸收层，其生长在n型InSb...
赵晓蒙张杨曾一平
文献传递
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