李弋洋
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量
- 对水热法生长的高阻ZnO单晶在进行热激电流(TSC)和热电效应谱(TEES)测量的同时,也进行了的热激发光(TL)的测量。在80～400K的温度范围内,测出多达13个深能级,热激电流所测的深能级大部分为空穴陷阱。热激电流...
- 李成基李弋洋曾一平
- 关键词：热激电流深能级
- 文献传递
- 发光二极管响应特性的测试系统及方法
- 本发明提供了一种发光二极管响应特性的测试系统及方法。该测试系统包括：计算机调制模块，用于下发脉冲电压参数，并对接收到的光响应和电响应数据进行分析；脉冲电压产生模块，连接至计算机调制模块，用于依照计算机调制模块下发的脉冲电...
- 牛立涛关敏楚新波李弋洋曾一平
- 文献传递
- 高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量
- 2008年
- 对水热法生长的高阻ZnO单晶在进行热激电流(TSC)和热电效应谱(TEES)测量的同时,也进行了的热激发光(TL)的测量。在80～400K的温度范围内,测出多达13个深能级,热激电流所测的深能级大部分为空穴陷阱。热激电流与热激发光的温度谱有很大差别,呈互补行为,可能是非平衡载流子在不同的温度下其寿命不同所致。
- 李成基李弋洋曾一平
- 关键词：热激电流深能级
- 一种对半导体材料进行霍尔测试的装置
- 本发明公开了一种对半导体材料进行霍尔测试的装置，该装置包括第一单刀双掷继电器(A)、第二单刀双掷继电器(B)、第三单刀双掷继电器(C)、第四单刀双掷继电器(D)、第五单刀双掷继电器(a)、第六单刀双掷继电器(b)、第七单...
- 李弋洋李成基曾一平
- 文献传递
- 利用变温瞬态电致发光研究OLED载流子的输运机理
- 2017年
- 研究了不同温度下几种结构的有机电致发光器件(OLED)的瞬态电致发光响应特性以及电流密度-电压-亮度特性。研究发现,启亮电压随温度升高而减小的加速度在200 K时出现拐点,且这一数值主要由电子传输层Alq3的迁移率决定。当温度为200 K时,延迟时间td最重要的影响因素是Mo O3空穴注入势垒,随着温度的升高,Δtd逐渐减小,到300 K时基本消失。Vf代表光衰减时间随温度增长的平均速率。Mo O3注入层和电致发光材料Ir(ppy)3都会对载流子的堆积起促进作用。由Mo O3注入层不同引起的ΔVf是0.52μs/K,由电致发光材料Ir(ppy)3不同引起的ΔVf是0.73μs/K。
- 袁超关敏张杨李弋洋李弋洋刘兴昉曾一平
- 关键词：有机电致发光载流子输运
- 具有新型电荷产生连接层的叠层有机电致发光器件
- 作者研究了具有新型电荷产生连接层的叠层有机电致发光器件,ITO/NPB/AIq3 Mg:Alq3/MoO3:PTCDA/NPB/Alq3/LiF/Al.叠层有机发光器件在电流密度50mA/cm2下的电流效率为4.2 cd...
- 李林森关敏曹国华李弋洋曾一平
- 关键词：电流密度电流效率
- 文献传递
- 有机电致发光器件的瞬态电响应特性被引量：1
- 2015年
- 详细研究了有机发光二极管(OLED)在脉冲电压下的瞬态电流响应特性。瞬态响应电流由3部分组成:正向电流峰(IP)、稳态电流(IS)及反向电流峰(IN)。研究发现IS为器件工作时通过器件的电流,而IN与IP则分别对应OLED器件电极/有机界面附近的空间电荷的形成及消失过程。IN、IP与脉冲电压成线性关系,阳极的费米能级与空穴传输材料的HOMO能级差导致IN大于IP。利用不同占空比的双脉冲电压研究了电流与空间电荷的关系,发现空间电荷的充分放电临界占空比只受界面接触的影响,而与器件内部结构无关。
- 牛立涛关敏楚新波曾一平李弋洋张杨
- 关键词：有机发光二极管空间电荷
- MoO3掺杂CuPc空穴注入层对有机电致发光器件的改善
- 我们研究了MoO3掺杂CuPc薄膜作为空穴注入层对有机电致发光器件性能的改善,得到了低压、高流明效率的发光器件.其中器件ITO/50％MoO3:CuPc 5nm/NPB 75nm/296 C545T:Alq3 30nm/...
- 关敏李林森曹国华李弋洋曾一平
- 关键词：空穴注入有机电致发光器件
- 文献传递
- 锑化铟量子阱材料结构生长和特性研究
- 本论文主要研究了在GaAs 衬底上生长InSb 量子阱的生长参数对量子阱载流子传输特性的影响.InSb 量子阱采用InAlSb/InSb 的超晶格缓冲层,势磊采用InAlSb 三元合金.通过对InAlSb/InSb 的超...
- 赵晓蒙董海云崔利杰李弋洋杨秋旻张杨曾一平
- 高阻GaN薄膜的准霍尔测量技术
- 建立了高阻GaN薄膜材料的电学性质测量装置。开展了高阻GaN薄膜材料的欧姆接触制作与检测技术的研究工作。进行了高阻GaN薄膜材料的薄层电阻、高温变温霍尔及光霍尔等测量工作。可以测出高达1015欧姆的方块电阻。高温变温霍尔...
- 李弋洋李成基曾一平
- 关键词：薄层电阻
