袁帅
- 作品数：8 被引量：45H指数：4
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 多孔硅微腔的窄峰发射被引量：4
- 1998年
- 自从Canham发现多孔硅能高效率发射可见光以来,多孔硅的形成机理、发光机理、器件以及光电子集成研究都取得了很大进展.但到目前为止,多孔硅中是否存在激射现象还不很肯定.我们知道,微腔是实现激射的必要组成部分,它具有辐射功率的空间分布可调、发射峰的宽度可变、自发辐射得到加强或抑制以及激射阈值较低甚至有可能实现激射无阈值等特点.Pavesi等人曾利用交替变化腐蚀电流密度的方法制备了多孔硅微腔.基于用分子束外延生长多层膜具有好的可控性和界面特性。
- 熊祖洪廖良生袁帅丁训民蒋最敏胡东枝秦捷裴成文侯晓远
- 关键词：多孔硅微腔激射发光机理光学特性
- 多层多孔硅的SPM研究
- 多层多孔硅是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构,我们用 AFM 对多层多孔硅结构的侧向解理的截面进行观测,得到了不同多孔度层及其界面处的图像。发现不同周期中相同条件下腐蚀得到的多孔硅层,...
- 胡舜涛杨建树袁帅蔡群董树忠侯晓远
- 关键词：原子力显微镜多层结构
- 文献传递
- 一种简便有效的多孔硅后处理新方法被引量：7
- 1998年
- 本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）。
- 熊祖洪刘小兵廖良生袁帅袁帅周翔何钧丁训民周翔
- 关键词：多孔硅发光器件光电子集成
- 多孔硅光致发光的温度效应研究被引量：4
- 1998年
- 通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动（即红移）；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动（即蓝移）．根据多孔硅光致发光峰的温度效应，定性地给出了发光效率随波长变化的模拟曲线，并由此能较好地解释多孔硅光致发光峰位随温度变化而移动的实验现象．
- 刘小兵熊祖洪袁帅陈彦东何钧廖良生丁训民侯晓远
- 关键词：多孔硅光致发光温度效应
- SiO薄膜的光致发光研究被引量：2
- 1999年
- 通过对SiO薄膜经退火后的室温光致发光研究,发现SiO薄膜的发光谱中存在绿光和红光两个发光带,绿光带是起源于与氧有关的缺陷发光,而红光带则是纳米尺寸的微晶Si的量子限制效应引起的发光。
- 林峰盛篪袁帅刘晓晗龚大卫万钧樊永良
- 关键词：光致发光量子尺寸效应
- 同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究被引量：15
- 1999年
- 首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率，结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论。
- 来冰丁训民袁泽亮周翔廖良生张胜坤袁帅侯晓远陆尔东徐彭寿张新夷
- 关键词：铟锡氧化物ITO
- 多层多孔硅的SPM研究
- 1999年
- 多层多孔硅是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构，我们用ＡＦＭ对多层多孔硅结构的侧向解理的截面进行观测，得到了不同多孔度层及其界面处的图像。发现不同周期中相同条件下腐蚀得到的多孔硅层，其层厚随周期的不同而不同，从而限制了多孔硅发光峰半宽的缩小。对多层多孔硅的电化学腐蚀机理作了初步的探讨。
- 胡舜涛杨建树袁帅蔡群董树忠侯晓远
- 关键词：原子力显微镜多孔硅多层结构SPM
- 经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性被引量：16
- 2000年
- 在一定偏压下用ＡｌＣｌ３＋ Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋ Ｈ２Ｏ 混合液对多孔硅进行了后处理．经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比，其发光强且稳定．通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析，指出在后处理样品表面形成的Ａｌ２Ｏ３ 与ＳｉＯｘ 结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因．
- 刘小兵熊祖洪史向华袁帅廖良生
- 关键词：多孔硅光致发光钝化氧化硅
