杜光伟
- 作品数：17 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法
- 本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的...
- 杜光伟胡志富刘亚男李静强冯彬彭志农何美林曹健
- 文献传递
- 一种提取GaNHEMT器件电热模型参数的方法及夹具
- 本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN ...
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- 微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备
- 本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功...
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- 文献传递
- 太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法
- 本发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面...
- 刘亚男胡志富杜光伟李静强冯彬彭志农何美林曹健
- 太赫兹InP HEMT器件的研究被引量：1
- 2016年
- 采用减小栅长的方法可以显著提高In P高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的直流和微波性能,并使器件的工作频率上升到太赫兹频段。分别制备了不同栅长的InP HEMT器件,采用T型栅工艺减小器件的寄生栅电阻,并通过减小栅极与漏极的间距进一步减小了漏极寄生电阻。比较了不同栅长尺寸器件的直流、微波和寄生电阻的性能差别。测试结果表明,栅长减小,器件的饱和电流、直流跨导、交流跨导和截止频率越大,相应地,器件的栅电容、延迟时间和寄生电阻越小。最后,对InP HEMT器件进行了建模,模型仿真与测试结果拟合良好。
- 刘亚男杜光伟胡志富孙希国崔玉兴
- 关键词：太赫兹INP
- 在片微波探针测试夹具
- 本实用新型公开了一种在片微波探针测试夹具，涉及微波在片测试方法技术领域。所述测试夹具包括第一测试PAD、第二测试PAD、第三测试PAD、第一对位标记、第二对位标记、第三对位标记和第四对位标记。通过测试夹具上的对位标记，在...
- 胡志富刘亚男杜光伟李静强何美林冯彬彭志农曹健
- 文献传递
- 太赫兹在片散射参数测量校准件
- 本实用新型公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面金属层，...
- 刘亚男胡志富杜光伟李静强冯彬彭志农何美林曹健
- 文献传递
- 用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法
- 本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的...
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- 文献传递
- 石墨烯场效应晶体管的非线性模型
- 2016年
- 包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表征GFET的特性。该模型包含了GFET的栅源电流模型、源漏电流模型、电容模型和低频散射效应等。此外该模型为可定标的模型,可用于一定尺寸范围的器件的仿真。该模型可集成在仿真软件中进行石墨烯电路的设计,其直流I-V特性和多偏置S参数的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了该模型的有效性。
- 杜光伟李佳胡志富冯志红宋旭波
- 关键词：石墨烯非线性
- 微波共面测试探针及其制作方法
- 本发明公开了一种微波共面测试探针及其制作方法，属于微波通讯器件技术领域。本发明包括同轴设置的外导体和内导体，在外导体和内导体之间设有绝缘层，外导体的端部设有转接器，内导体向外延伸形成信号线触头，外导体向外延伸形成两个地线...
- 李静强胡志富彭志农刘亚男曹健冯彬杜光伟何美林
- 文献传递
