李静强
- 作品数：50 被引量：123H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 20W X波段GaN MMIC的研究被引量：2
- 2009年
- 张志国王民娟冯志红周瑞胡志富宋建博李静强蔡树军
- 关键词：MMIC微波单片集成电路X波段微波功率器件微带电路电路形式
- 一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法
- 本发明公开了一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法，属于半导体芯片封装外壳性能的测试方法领域。本发明制作了陶瓷介质基片微带电路、PCB微带线和微波测试夹具，并利用微波测试模块、直流偏置模块与微波测试夹具相配合对PCB...
- 默江辉李静强马杰李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 一种提取GaNHEMT器件电热模型参数的方法及夹具
- 本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN ...
- 李静强胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟曹健何美林
- 微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备
- 本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功...
- 李静强曹健胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟何美林王亚冰何锐聪
- 文献传递
- 高集成C波段小型化收发电路的研制
- 2016年
- 本文基于GaAs多功能MMIC高集成度的优势,采用多层LTCC工艺技术研制了一种小型化C波段收发电路。讨论了系统方案的优化设计,建立了各单元电路的参数化模型。在此基础上采用局部电磁场优化仿真和全局电路系统仿真相结合的设计方法,对收发电路的各项指标进行了优化仿真分析。该电路性能优良,接收增益大于32d B,噪声系数小于1.4d B,驻波小于1.5,发射功率大于39d Bm,电路模块尺寸为30mm×30mm×8mm,且内部集成了收发电源调制电路、幅相及收发控制电路、电源保护电路等,集成度提高的同时,其体积大幅度减小。
- 米多斌厉志强李静强
- 关键词：收发电路小型化MMIC微组装技术
- 一种在片负载牵引测量系统的现场校准方法
- 本发明公开了一种在片负载牵引测量系统的现场校准方法。本校准方法首先制作反射系数覆盖0.1到0.8的失配衰减单片作为传递标准件，然后用在片校准过的矢量网络分析仪对传递标准件进行定标测量，得到传递标准件的标准转换增益G<Su...
- 栾鹏梁法国韩志国李静强孙晓颖孙静韩利华张贵军
- 文献传递
- 太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法
- 本发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面...
- 刘亚男胡志富杜光伟李静强冯彬彭志农何美林曹健
- 陷阱对GaN HEMT电应力失效影响研究
- 本文通过分析比较不同直流偏置条件下的实验结果,研究了陷阱对GaN HEMT器件电应力失效的影响,提出器件中本来存在的陷阱和施加电应力时新产生的陷阱综合作用,俘获电子引起暂时性可逆的退化,而AlGaN层发生逆压电极化效应导...
- 房玉龙敦少博李静强刘波尹甲运蔡树军冯志红
- 平坦化技术在微波功率SiC MESFET工艺中的应用
- 本文以微波SiC MESFET为例，首先要4H半绝缘SiC衬底片上外延一层缓冲层，用来减少衬底对SiC MESFET的影响，然后在缓冲层上生长一层n型的沟道层，再在沟道层上外延一层高掺杂的n型盖帽层用来形成源、漏金属电极...
- 潘宏菽商庆杰默江辉李静强霍玉柱杨霏陈昊
- 关键词：金属-半导体场效应晶体管碳化硅材料
- 在片微波探针测试夹具
- 本实用新型公开了一种在片微波探针测试夹具，涉及微波在片测试方法技术领域。所述测试夹具包括第一测试PAD、第二测试PAD、第三测试PAD、第一对位标记、第二对位标记、第三对位标记和第四对位标记。通过测试夹具上的对位标记，在...
- 胡志富刘亚男杜光伟李静强何美林冯彬彭志农曹健
- 文献传递
