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激光辅助放电等离子体极紫外光源研究进展被引量：1: 2019年; 极紫外光刻技术可以制造特征尺寸小于22 nm的芯片,是推动半导体集成电路发展的重要手段。极紫外光源是极紫外光刻系统的重要组成部分。激光辅助放电等离子体极紫外光源方法可以使传统固体靶材作为放电等离子体所需要的材料,其装置结构简单,产生极紫外光源功率高,能够精确控制放电时间和提高放电的稳定性等,具有良好的应用前景。本文系统阐述了激光辅助放电等离子体极紫外光源相关研究进展,介绍靶材作为不同电极极性、不同放电参数和激光参数下放电等离子体极紫外光源的产生,并对不同条件下产生极紫外光源的特点进行了归纳总结,为更好地使用激光辅助放电等离子体进行产生极紫外光源提供有益的参考。; 吴家志谢卓窦银萍林景全

Gd靶激光等离子体6.7nm光源的实验研究被引量：3: 2015年; 本文对Gd靶激光等离子体极紫外光源进行了实验研究,在6.7 nm附近获得了较强的辐射,并研究了6.7nm附近光辐射随打靶激光功率密度变化的规律以及收集角度对极紫外辐射的影响.同时,对平面Gd靶激光等离子光源的离子碎屑角分布进行了测量,发现从靶面的法线到沿着靶面平行方向上Gd离子数量依次减少.进一步研究结果表明采用0.9 T外加磁场的条件下可取得较好的Gd离子碎屑阻挡效果.; 窦银萍谢卓宋晓林田勇林景全; 关键词：极紫外光刻

结构锡靶激光等离子体极紫外光辐射特性研究被引量：5: 2021年; 开展结构Sn靶激光等离子体极紫外光辐射特性研究,对波长为1064 nm的脉冲激光等离子体产生的极紫外光谱进行研究。实验结果表明,当激光能量为500 mJ,结构靶凹槽深度为100μm、宽度为300μm时,结构靶凹槽产生13.5 nm(2%带宽)带内光辐射积分强度的增强倍率约为平面靶的1.57倍。同时发现,凹槽对激光等离子体膨胀具有抑制作用,导致不同凹槽宽度产生最佳增强倍率所对应的激光能量不同。研究聚焦光斑尺寸对结构靶产生极紫外光辐射的影响。实验结果表明,当聚焦光斑直径与凹槽宽度接近时,凹槽的13.5 nm(2%带宽)带内光辐射积分强度的增强倍率最高。此项研究对提高极紫外光辐射强度及转换效率具有重要意义。; 李镇广窦银萍谢卓王海建宋晓伟林景全; 关键词：光谱学激光等离子体

Gd靶激光等离子体光源离带辐射及其等离子体演化的研究被引量：1: 2016年; 利用脉冲宽度为10ns,输出波长为1 064nm的Nd∶YAG激光器作用金属Gd以及纳米粒子掺杂的低密度Gd玻璃等两种形式靶所产生等离子体光源的离带辐射进行了研究,发现等离子体所发出的连续辐射是离带辐射的主要成分,光谱分布与温度为5eV的普朗克曲线相匹配。此外,相对于金属Gd靶而言,采用纳米粒子掺杂的低密度Gd玻璃靶可大幅度降低等离子体光源的离带辐射。利用光谱法,对激光作用纳米粒子掺杂的低密度Gd玻璃靶所形成光源的等离子体羽的电子温度和电子密度进行了时空分辨研究。实验结果表明,在打靶结束125ns时,距靶面6mm位置处等离子体的电子温度约为4eV,电子密度约为1.2×1018 cm-3。同时发现在激光打靶结束后等离子体羽的电子温度和电子密度随延时的变化而呈指数下降,在120-250ns时间范围内,两者下降较快,之后其幅度下降缓慢。另一方面,当打靶脉冲结束约200ns时,在距离靶面1-10mm的空间内等离子体的电子温度及密度均经历先上升后下降的变化过程。在距靶材表面6mm位置处,电子温度和电子密度均达到最大值,电子温度约为2.6eV,电子密度为8.5×1017cm-3。; 宋晓林宋晓伟窦银萍田勇谢卓高勋林景全; 关键词：极紫外光刻

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谢卓