贾锐军
- 作品数：16 被引量：24H指数：3
- 供职机构：内蒙古机电职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 矿化剂对水热法合成PZT纳米粉体的影响研究
- 2013年
- 本实验以Pb(NO3)2、ZrOCl2.8H2O、TiO2为主要原料,以KOH、NaOH为矿化剂,研究了矿化剂种类和浓度对水热法合成锆钛酸铅(PZT)纳米粉体的影响作用。通过XRD、SEM的测试与分析可知,使用不同的矿化剂得到的PZT晶体结构完整性也有不同,矿化剂KOH浓度在3～5mol/L之间时,合成的晶体结构完整,物相单一,当其浓度大于7mol/L时,反应向着不利于PZT合成的方向进行。
- 贾锐军孙志敏
- 关键词：矿化剂PZT纳米粉体
- 一种电厂热能动力工程用环境保护结构
- 本实用新型公开了一种电厂热能动力工程用环境保护结构，涉及环境保护领域，包括外壳，所述外壳的左侧下半部分固定安装有进气管道，且进气管道的顶端设置有进气口，所述进气管道的内部固定安装有吸气风扇，所述进气管道的内部固定安装有金...
- 武晨华贾锐军李鹏飞
- 文献传递
- pH值在掺Ni纳米SnO_2粉末制备中的作用被引量：2
- 2007年
- 以SnCl4.5H2O、NiCl2.6H2O、氨水为主要原料,采用化学共沉淀法制备纯的及掺Ni的SnO2纳米粉体。针对重要的影响因素pH值运用原子吸收光谱、XRD、FT-IR等手段进行分析。XRD和FT-IR分析结果表明,pH在1.5～10之间均可合成SnO2;晶粒尺寸随着pH值的增大无显著改变。通过对掺Ni的Sn（OH）4胶体滤液中Ni元素的原子吸收光谱分析可知,pH值严重影响着杂质Ni的掺入量,Ni2＋掺入率在pH=8时出现极大值为99.97%。
- 贾锐军彭同江孙红娟刘海峰
- 关键词：PH值SNO2化学共沉淀法
- 托克托电厂高铝粉煤灰化学分析被引量：1
- 2012年
- 粉煤灰综合利用是我国煤炭行业一件大事,而粉煤灰成分决定了其利用领域,同时对工艺参数设计起决定作用。针对托克托高铝粉煤灰提出一种检测高铝粉煤灰成分的化学分析方法,为粉煤灰提取氧化铝工艺改良提供科学依据。
- 陈炜胡小龙王强贾锐军
- 关键词：粉煤灰高铝化学分析
- Pd掺杂SnO2纳米膜的制备及H2敏感性能研究
- 以分析纯SnCl2·2H2O和PdCl2为主要原料,控制不同n(Pd2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了Pd掺杂SnO2纳米膜及气敏元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了Pd掺杂S...
- 彭同江刘海峰贾锐军孙红娟
- 关键词：气敏元件提拉法
- 文献传递
- 熔盐电解和定向凝固组合技术生产太阳能级多晶硅的方法
- 本发明涉及一种熔盐电解和定向凝固组合技术生产太阳能级多晶硅的方法，其特征在于，采用下列工艺步骤：(1)共析法熔盐电解制备铝硅合金；(2)定向凝固分离铝硅；(3)真空蒸馏和定向凝固高纯硅。本发明获得的高纯多晶硅的磷含量减少...
- 石富陈炜高岗强李锋贾锐军
- 文献传递
- SnO_2纳米薄膜的溶胶-凝胶法制备及气敏性能被引量：8
- 2008年
- 以SnCl2.2H2O和无水乙醇为原料制备SnO2透明溶胶,通过浸渍法在云母基片上制备了SnO2纳米薄膜。利用XRD和AFM手段研究了薄膜的结构和形貌,结果表明,SnO2纳米薄膜的球形粒径约为15nm;随着薄膜沉积层数的增加或工作温度的升高,薄膜电阻逐渐减小。气敏特性研究表明,薄膜对H2有较好的敏感性。
- 贾锐军彭同江孙红娟刘海峰
- 关键词：SNO2薄膜溶胶-凝胶气敏性
- 均匀共沉淀法制备掺锡α-Fe_2O_3粉体及其气敏性能研究被引量：4
- 2007年
- 采用分析纯Fe2(SO4)3和NH3.H2O为主要原料,控制不同的Fe3+浓度、Sn4+:Fe3+、溶液pH值及烧结温度,利用均匀共沉淀法制备了掺锡α-Fe2O3粉体,并用厚膜工艺将粉体涂于云母基片上制成了高灵敏度甲烷气敏元件.利用XRD对粉体成分及结构分析后发现,部分Sn4+以类质同象的方式代替了α-Fe2O3晶格中的Fe3+,改变了α-Fe2O3的晶胞参数;通过测试元件在不同温度下对800×10-6甲烷的气敏性能,结果表明,掺锡提高了α-Fe2O3的气敏性,且得到了制备掺锡α-Fe2O3甲烷气敏材料的最佳参数.
- 刘海峰孙红娟彭同江贾锐军
- 关键词：气敏材料甲烷
- 铝硅合金冶炼用球团的试验研究被引量：1
- 2012年
- 在对原料的性质、组成分析的基础上,选择高铝粉煤灰、烟煤、兰炭、MgCl2、CaSiO3、黏土、水玻璃及聚乙烯醇为原料,制备出球团试样。通过对试样透气性及还原和氧化气氛下强度的测定,结果表明,使用黏土做粘结剂球团孔隙率低,在还原性气氛下,球团强度随着温度的升高、时间的延长而降低,在氧化性气氛下,球团粉化严重。
- 陈炜贾锐军王强胡小龙
- 关键词：铝硅合金球团高铝粉煤灰
- (Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜的制备及半导体性能
- 2009年
- 为提高SnO2的半导体性能,以分析纯SnCl2.2H2O和NiCl2.6H2O为主要原料,控制不同n(Ni2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜及半导体元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了(Sn1-x,Ni2x)O2元件的半导体性能。结果表明,(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜表面椭球形颗粒排列致密,尺寸约30 nm,(Sn1-x,Ni2x)O2为金红石型结构,但Ni2+代替了SnO2晶格中的部分Sn4+,使其晶胞参数a轴长平均减小0.000 4 nm,c轴长平均减小0.000 3 nm;随n(Ni2+)/n(Sn2+)由0.006增大到0.03,(Sn1-x,Ni2x)O2的晶粒尺寸由约45 nm减小至约18 nm;随温度由30℃上升至150℃,n型(Sn1-x,Ni2x)O2半导体元件的电阻约减小至其10%,而纯净SnO2元件的电阻仅约减小至其15%;随n(Ni2+)/n(Sn2+)的增大,离子化杂质散射增强,(Sn1-x,Ni2x)O2内部载流子迁移率下降,元件在150℃左右的电阻也由4.8 kΩ增大至12.1 MΩ,提高了元件的半导体性能。
- 刘海峰彭同江贾锐军孙红娟马国华
- 关键词：半导体功能材料
