曾庆明
- 作品数：25 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 微光电子集成灵巧象素器件被引量：5
- 2000年
- 我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子集成灵巧象素器件。通过对光电特性测试表明 ,器件具有良好的光探测和光调制性能。
- 陈弘达曾庆明李献杰陈志标杜云周革华锋黄永箴吴荣汉
- 关键词：光电子器件
- 2.2GHz PHEMT低噪声跨阻放大器
- 刘式墉曾庆明赵永林李献杰蔡克理刘伟岩梁春广
- 关键词：低噪声放大器跨阻放大器
- InP/InGaAsHBT湿法化学选择腐蚀技术
- 用H<,3>PO<,4>:H<,2>O<,2>系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极...
- 曾庆明徐晓春
- 关键词：半导体器件
- 文献传递网络资源链接
- 跨导为220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT被引量：3
- 2004年
- 介绍了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试。漏源欧姆接触采用 Ti/ Al/ Pt/ Au,肖特基结金属为 Pt/ Au。器件栅长为 1 μm,获得最大跨导 2 2 0 m S/ mm,最大的漏源饱和电流密度 0 .72 A/ mm。由 S参数测量推出器件的截止频率和最高振荡频率分别为 1 2 GHz和 2 4GHz。
- 张小玲吕长志谢雪松何焱侯英梁冯士维李志国曾庆明
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管直流特性
- 基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC
- 2007年
- 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.
- 李献杰赵永林蔡道民曾庆明蒲运章郭亚娜王志功王蓉齐鸣陈晓杰徐安怀
- 关键词：INGAASHBTOEIC
- 通信用高速光电探测器的研究开发
- 本文介绍InGaAs PIN高速光电探测器的结构设计、批量生产技术、可靠性保证以及测试技术,并给出了系列产品的主要性能.
- 曾庆明李献杰乔树允王全树
- 关键词：INGAAS光电探测器光纤通信
- 文献传递
- 高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器被引量：1
- 2003年
- 叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～
- 曾庆明徐晓春李献杰敖金平王全树郭建魁刘伟吉揭俊锋
- 关键词：静态分频器异质结双极晶体管
- AlGaN/GaN HEMT器件研究被引量：10
- 2000年
- 叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。
- 曾庆明刘伟吉李献杰赵永林敖金平徐晓春吕长志
- 关键词：GANHEMTALGAN截止频率
- InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术被引量：2
- 2000年
- 用H3PO4：H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.
- 李献杰曾庆明徐晓春敖金平刘伟吉梁春广
- 关键词：INPINGAASHBT湿法刻蚀
- 1.55μm光发射OEIC技术研究被引量：2
- 2002年
- 采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随机码调制下器件有张开的眼图 ,光输出功率为 2dBm ,芯片功耗约 12 0mW。
- 李献杰曾庆明徐晓春刘伟吉敖金平王全树杨树人赵方海柯锡明王志功刘式墉梁春广
- 关键词：光发射光电集成电路INP
