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敖金平

作品数：23 被引量：37H指数：4
供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 22篇电子电信

主题

  • 7篇接收机
  • 7篇光接收
  • 7篇光接收机
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 6篇光电
  • 5篇OEIC
  • 5篇HEMT
  • 4篇光电集成
  • 4篇INALAS...
  • 4篇MSM
  • 4篇场效应
  • 3篇单片
  • 3篇单片集成
  • 3篇晶体管
  • 3篇光电集成电路
  • 3篇GAAS_H...
  • 2篇倒装焊
  • 2篇直流特性
  • 2篇砷化镓

机构

  • 9篇河北半导体研...
  • 6篇吉林大学
  • 5篇东南大学
  • 4篇中国电子科技...
  • 4篇电子工业部
  • 4篇信息产业部
  • 1篇华北光电技术...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇机电部

作者

  • 23篇敖金平
  • 19篇李献杰
  • 14篇刘伟吉
  • 13篇曾庆明
  • 6篇王全树
  • 5篇柯锡明
  • 5篇徐晓春
  • 5篇刘式墉
  • 5篇梁春广
  • 5篇王志功
  • 5篇蔡克理
  • 4篇徐晓春
  • 4篇赵永林
  • 3篇揭俊锋
  • 3篇王蓉
  • 3篇赵永林
  • 2篇郭建魁
  • 2篇郭建魁
  • 2篇赵方海
  • 2篇杨树人

传媒

  • 4篇半导体情报
  • 4篇功能材料与器...
  • 3篇光电子．激光
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇半导体光电
  • 2篇第六届全国分...
  • 1篇Journa...
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇全国化合物半...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 1篇2003
  • 7篇2002
  • 2篇2001
  • 8篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1992
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器被引量：1
2003年
叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～
曾庆明徐晓春李献杰敖金平王全树郭建魁刘伟吉揭俊锋
关键词：静态分频器异质结双极晶体管
超低功耗GaAs PHEMT跨阻前置放大器被引量：1
2002年
本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源供电 ,功耗为 110 m
王蓉王志功柯锡明敖金平李献杰刘伟吉
关键词：光接收机砷化镓跨阻前置放大器
AlGaN/GaN HEMT器件研究被引量：10
2000年
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。
曾庆明刘伟吉李献杰赵永林敖金平徐晓春吕长志
关键词：GANHEMTALGAN截止频率
InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术被引量：2
2000年
用H3PO4：H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.
李献杰曾庆明徐晓春敖金平刘伟吉梁春广
关键词：INPINGAASHBT湿法刻蚀
1.55μm光发射OEIC技术研究被引量：2
2002年
采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随机码调制下器件有张开的眼图 ,光输出功率为 2dBm ,芯片功耗约 12 0mW。
李献杰曾庆明徐晓春刘伟吉敖金平王全树杨树人赵方海柯锡明王志功刘式墉梁春广
关键词：光发射光电集成电路INP
单片集成MSM/HEMT长波长光接收机被引量：4
2000年
本文介绍了利用 In Ga As金属 -半导体 -金属 (MSM)长波长光探测器与 In Al As- In Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作 ,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题 ,实现了 1.3Gb/ s传输速率的单片集成长波长光接收机样品。
敖金平曾庆明赵永林李献杰蔡克理刘式墉梁春广
关键词：MSM光探测器光接收机长波长光集成电路
WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET
2000年
发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的－3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。
刘伟吉曾庆明李献杰敖金平赵永林郭建魁徐晓春
关键词：场效应晶体管
单片集成长波长光接收机被引量：5
2002年
介绍了利用InGaAs长波长金属 半导体 金属 (MSM )光探测器与InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管 (HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等 ,解决了工艺兼容性问题 ,实现了 2 .
敖金平刘伟吉李献杰曾庆明赵永林乔树允徐晓春王全树
关键词：OEIC单片集成光接收机
MCM倒装焊技术在CMOS-SEED灵巧象素中的应用研究
2000年
介绍了新型 CMOS- SEED灵巧像素结构原理及相关的 MCM倒装焊混合集成技术 ,采用厚光致抗蚀剂作掩模 ,通过磁控溅射和真空蒸发相结合 ,研究了与 CMOS- SEED有关的 In凸点阵列成型、倒装焊、芯片间隙注入及子芯片衬底减薄或去除等关键工艺。
李献杰曾庆明蔡克理敖金平赵永林王全树郭建魁刘伟吉徐晓春张钢赵建中
关键词：倒装焊光电集成
GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
2000年
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
曾庆明徐晓春刘伟吉李献杰敖金平王全树郭建魁赵永林揭俊锋
关键词：GAASHBT微波单片集成电路
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