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李无瑕

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇晶体管
  • 3篇等离子体刻蚀
  • 3篇刻蚀
  • 2篇电路
  • 2篇淀积
  • 2篇栅极
  • 2篇集成电路
  • 2篇发射区
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体集成
  • 2篇半导体集成电...
  • 1篇单电源
  • 1篇低电压
  • 1篇电压
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇蒸发
  • 1篇上光
  • 1篇砷化镓

机构

  • 5篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 5篇王润梅
  • 5篇刘训春
  • 5篇李无瑕
  • 3篇钱永学
  • 3篇张龙海
  • 3篇郑坚斌
  • 3篇吴德馨
  • 3篇罗明雄
  • 1篇陈晓杰
  • 1篇陈俊
  • 1篇李爱珍
  • 1篇陈建新
  • 1篇杨全魁
  • 1篇杨雪莹
  • 1篇王惟林

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器
2000年
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。
刘训春陈俊王润梅王惟林李无瑕李爱珍陈建新陈意桥陈晓杰杨全魁
关键词：单电源PHEMT
晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法
本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶，或者先淀积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN介质层后涂正性光刻胶，然后光刻出发射极或栅极窗口图形，再用等...
刘训春李无瑕王润梅钱永学吴德馨张龙海郑坚斌罗明雄
自对准HBT T型发射极的制作
本文比较了SF<,6>对钨(W)和硅(Si)的刻蚀特性,并利用硅片和钨靶结合的办法来得到WSi薄膜,利用WSi的侧向腐蚀特性来制作T型发射极金属,在此基础上实现了HBT发射极和基极的自对准.实验结果表明这一方法具有很大的...
郑坚斌刘训春王润梅李无瑕钱永学杨雪莹
关键词：异质结双极晶体管自对准工艺
可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法
一种可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法,首先1.在砷化镓等晶片上光刻有源岛区,2.然后注入质子或氧、硼离子;以常规方法形成源漏金属并合金;3.淀积绝缘层;4.光刻出栅牺牲层;5.溅射或蒸发形成薄膜;6.减薄腐蚀;7...
刘训春张龙海王润梅李无瑕罗明雄吴德馨
晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法
本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶,或者先淀积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN介质层后涂正性光刻胶,然后光刻出发射极或栅极窗口图形,再用等...
刘训春李无瑕王润梅钱永学吴德馨张龙海郑坚斌罗明雄
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