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郑坚斌

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇晶体管
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇电路
  • 2篇淀积
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇栅极
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇刻蚀
  • 2篇集成电路
  • 2篇发射区
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体集成
  • 2篇半导体集成电...
  • 1篇通信
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准工艺
  • 1篇光纤
  • 1篇光纤通信
  • 1篇HBT

机构

  • 3篇中国科学院微...
  • 1篇天津大学

作者

  • 4篇郑坚斌
  • 3篇钱永学
  • 3篇王润梅
  • 3篇刘训春
  • 3篇李无瑕
  • 2篇张龙海
  • 2篇吴德馨
  • 2篇罗明雄
  • 1篇杨雪莹

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 2篇2001
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
自对准HBT T型发射极的制作
本文比较了SF<,6>对钨(W)和硅(Si)的刻蚀特性,并利用硅片和钨靶结合的办法来得到WSi薄膜,利用WSi的侧向腐蚀特性来制作T型发射极金属,在此基础上实现了HBT发射极和基极的自对准.实验结果表明这一方法具有很大的...
郑坚斌刘训春王润梅李无瑕钱永学杨雪莹
关键词：异质结双极晶体管自对准工艺
晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法
本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶,或者先淀积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN介质层后涂正性光刻胶,然后光刻出发射极或栅极窗口图形,再用等...
刘训春李无瑕王润梅钱永学吴德馨张龙海郑坚斌罗明雄
晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法
本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶，或者先淀积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN介质层后涂正性光刻胶，然后光刻出发射极或栅极窗口图形，再用等...
刘训春李无瑕王润梅钱永学吴德馨张龙海郑坚斌罗明雄
GaAs基HBT器件及工艺研究
该文探讨了GaAs HBT在高速和射频领域的应用前景;介绍了HBT的基本原理、基本结构及主要类别;分析了GaAs基HBT制作的关键工艺;较好的解决了InGaP发射极的腐蚀问题,制作出WSi+Ti/Au型的T型发射极并获得...
郑坚斌
关键词：INGAP光纤通信异质结双极晶体管
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