邓伟
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
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- 直流和交流溅射沟道材料对铟镓锌氧薄膜晶体管性能的影响
- 本文研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响.交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,分别为0.937V和0.34V/dec;而直流溅...
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- 文献传递
- 双栅结构对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管电学性能的改进
- 本文介绍了双栅a-IGZO TFT的制备,并对其电学特性进行了研究.测试结果显示,双栅a-IGZO TFT较单栅器件具有更大的驱动电流,更高的载流子迁移率和更陡的亚阈值斜率.当沟道长度减小到6μm时,单栅器件出现短沟效应...
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- 关键词：电学性能
- 文献传递
- 直流和交流溅射沟道材料对铟镓锌氧薄膜晶体管性能的影响
- 2014年
- 研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响。交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,分别为0.937 V和0.34 V/dec;而直流溅射得到的阈值电压和亚阈值摆幅则分别是:1.78V和0.50 V/dec。对于稳定性,在30 V的栅极应力下,直流溅射得到的器件的阈值电压漂移则相对小一些。本文通过分析直流和交流溅射的过程中薄膜的沉积情况,阐述了上述现象产生的原因。
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