肖祥
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 双栅结构对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管电学性能的改进
- 本文介绍了双栅a-IGZO TFT的制备,并对其电学特性进行了研究.测试结果显示,双栅a-IGZO TFT较单栅器件具有更大的驱动电流,更高的载流子迁移率和更陡的亚阈值斜率.当沟道长度减小到6μm时,单栅器件出现短沟效应...
- 贺鑫邓伟肖祥王龙彦张乐陶张盛东
- 关键词：电学性能
- 文献传递
- 直流和交流溅射沟道材料对铟镓锌氧薄膜晶体管性能的影响
- 本文研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响.交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,分别为0.937V和0.34V/dec;而直流溅...
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- 文献传递
- 采用阳极氧化Ta2O5栅介质的低温ITO薄膜晶体管
- 本文采用阳极氧化的方式生长了Ta2O5薄膜,该阳极氧化Ta205薄膜是非晶的,并且具有很大的电容(135nF/cm2),相应的介电常数为24.利用该高介电常数(high-k)的Ta2O5作为栅介质,在室温下制备了ITO薄...
- 邵阳肖祥张盛东王龙彦
- 关键词：氧化钽阳极氧化
- 文献传递
- 栅与源/漏交叠对自对准a-IGZO TFTs性能的影响
- 本文研究了自对准结构非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)栅极与源极/漏极的交叠长度Lov对器件性能的影响.背面曝光光刻技术被采用以制备自对准的底栅底接触a-IGZO TFTs.通过变化光刻工艺中背面曝光的时间...
- 肖祥邵阳贺鑫邓伟岳仑仑张曙光张乐陶王龙彦张盛东
- 关键词：自对准结构
- 文献传递
- 直流和交流溅射沟道材料对铟镓锌氧薄膜晶体管性能的影响
- 2014年
- 研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响。交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,分别为0.937 V和0.34 V/dec;而直流溅射得到的阈值电压和亚阈值摆幅则分别是:1.78V和0.50 V/dec。对于稳定性,在30 V的栅极应力下,直流溅射得到的器件的阈值电压漂移则相对小一些。本文通过分析直流和交流溅射的过程中薄膜的沉积情况,阐述了上述现象产生的原因。
- 邓伟肖祥贺鑫张盛东
