王刚
- 作品数：100 被引量：179H指数：7
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院院长青年创新基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 采用氧化物制备氮化物的方法
- 本发明公开了一种采用氧化物制备氮化物的方法，该方法包括以下步骤：将碱金属氮化物或碱土金属氮化物与金属氧化物混合均匀后放入反应容器中，将该反应容器置于充有氮气的密闭环境中，将反应容器的温度升至750-900℃，保温2-6小...
- 陈小龙宋波简基康王刚许燕萍
- 文献传递
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
- 王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
- 文献传递
- 一种制备反钙钛矿型锰基氮化物的方法
- 本发明公开了一种制备反钙钛矿型锰基氮化物的方法，该方法包括以下步骤：将纯度大于99%的碱金属氮化物或碱土金属氮化物，锰粉及氧化物按一定比例混合均匀后放入反应容器中，将该反应容器置于充有高纯度氮气的密闭环境中，将反应容器的...
- 陈小龙宋波简基康王刚许燕萍
- 文献传递
- 插层化合物LiV_2O_4的制备与实验研究被引量：7
- 1990年
- 用化学方法从层状化合物LiVO_2中引出0.5个Li后得到Li_(0.5)VO_2,再经过低温真空热处理制备出尖晶石结构化合物LiV_2O_4,类似地处理Li_(0.465)VO_2,得到缺Li的Li_(0.93)V_2O_4,LiV_2O_4和Li_(0.93)V_2O_4的x射线粉末衍射数据表明,二者略有差别,还用LiV_2O_4作为正电极做成二极电池,并进行了初步的实验研究。
- 刘在海张文彬王刚
- 关键词：插层化合物
- 多孔氧化铝有序膜的制备研究被引量：50
- 2002年
- 本文用阳极氧化法分别在硫酸和草酸电解液中成功制备出高度有序、具有纳米级孔洞的氧化铝有序阵列模板。采用饱和HgCl2去除Al基体后,得到典型六方形结构的多孔Al2O3有序膜。通过改变氧化电压、氧化时间等条件使模板的孔径、孔深可调、膜厚度可控,并系统研究了对模板有序性、孔径、膜厚度等的影响因素,总结出制备Al2O3有序膜的最佳工艺。
- 王爱华管荻华周维亚王刚解思深
- 关键词：多孔氧化铝阳极氧化有序阵列有序膜纳米材料
- K0.8Fe2-xCoxSe2中超导的淬灭(摘要)
- 本文在研究常压下具有超导转变温度＞30K的K0.8Fe2Se2的基础上,采用两步法合成了K0.8Fe2-xCoxSe2(0≤x≤0.035),并对其运输以及磁学性质进行了初步表征及分析.
- 周婷婷陈小龙郭建刚王刚金士锋赖晓芳
- 关键词：显微结构磁学性质
- 文献传递
- 插层化合物钨青铜单晶的物理研究被引量：1
- 1989年
- 本工作利用X射线衍射分析、电导测量、红外、喇曼散射等手段,对用熔盐电解法生长的K_xWO_3,Na_yWO_3和K_xNa_yWO_3单晶进行了深入的研究,得出K_xNa_yWO_3是钠离子插入到K_xWO_3的结论,提出了K_xNa_yWO_3中离子扩散的机理.
- 李立曼王刚
- 关键词：插层化合物钨青铜单晶
- C＿60单晶的汽相生长被引量：3
- 1994年
- 报道使用Ｃ＿６０粉末，利用双炉装置，通过闭管汽相法生长Ｃ＿６０单晶的实验及结果。Ｃ＿６０单晶的质量很好，较大单晶的尺寸为０．５ｍｍ×０．６１ｍｍ×１．０ｍｍ。Ｘ射线衍射和电子衍射图的分析得到室温下Ｃ＿６０单晶为ｆ＿ｃｃ结构，确定了晶格常数，还进行了Ｒａｍａｎ光谱实验，实验结果表明，热、冷区温度及两者的温度差是影响大尺寸Ｃ＿６０单晶汽相生长的主要因素，对此进行了详细的讨论。
- 王刚解思深刘维俞育德赵铁男李楠王昌庆傅春生郑幼凤钱生法张泽勃
- 关键词：碳团簇单晶C60
- 宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展被引量：14
- 2012年
- 本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
- 彭同华刘春俊王波王锡铭郭钰赵宁李龙远刘宇黄青松贾玉萍王刚郭丽伟陈小龙
- 关键词：SIC晶体单晶生长晶片加工磁性
- 分体式钽坩埚及其制造方法
- 本发明公开了一种经碳化处理的分体式Ta坩埚及其制造方法，其中本发明的分体式Ta坩埚，包括分别经碳化处理的坩埚盖、坩埚筒和圆凸台的坩埚底，圆凸台的坩埚底具有上凸台和下底座，其中坩埚筒与圆凸台坩埚底的上凸台分体进行配合。本发...
- 陈小龙鲍慧强王刚王文军李龙远李辉
- 文献传递
