王文军
- 作品数：78 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：北京市科技计划项目广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 生长碳化硅单晶的方法
- 本发明提供一种生长碳化硅单晶的方法，其包括如下步骤：(1)将原料装配于用于碳化硅单晶生长的装置内；(2)将所述装置放置于单晶生长炉中感应线圈中；(3)然后，采用第一保护性气体进行洗炉，并控制生长炉的真空度；(4)然后，在...
- 陈小龙杨乃吉李辉王文军
- Ru/SiC接触特性研究
- Ru是Pt族金属,已被成功用作n型或P型6H-SiC的整流电极。其功函数为5.4eV,具有熔点高（2400℃）,化学稳定性好,在其它金属中的固溶度低的特点。采用直流磁控溅射法在n-SiC的Si面制备好金属电极后,将样品于...
- 杨慧彭同华王文军王皖燕陈小龙
- 关键词：SIC接触特性
- 文献传递
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
- 王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
- 文献传递
- 在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件
- 本发明提供一种在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及由该方法制得的石墨烯和制备石墨烯器件的方法，该方法包括以下步骤：采用对SiC衬底图形化的制备技术，在SiC衬底表面形成图形阵列；对图形化的SiC衬底进行热分解，在SiC...
- 陈小龙郭丽伟林菁菁李康贾玉萍王文军王刚
- AlN基稀磁半导体的制备与表征
- 稀磁半导体(DMS)是指基体半导体中一部分阳离子被磁性(过渡元素或稀土元素)离子取代,取代后产生磁性的化合物半导体[1]。DMS可以同时利用电子的电荷和自旋属性,具有优异的电、磁性能和广泛的应用。稀磁半导体可广泛应用于未...
- 李辉鲍慧强宋波王文军陈小龙
- 关键词：稀磁半导体ALN
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- 用于制备3C-SiC单晶的方法
- 本发明提供了一种用于制备3C‑SiC单晶的方法，其包括以下步骤：(1)将SiC籽晶固定至石墨籽晶托，然后将所述石墨籽晶托固定至石墨提拉杆；(2)将含Si和Al的助熔剂置于石墨坩埚中；(3)然后，将所述石墨坩埚和石墨提拉杆...
- 陈小龙李辉王国宾盛达王文军郭建刚
- 一种硼掺杂石墨烯的制备方法
- 本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法，利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯，其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控，所制备的石墨烯结构完整性高，硼掺杂均匀性好。
- 陈小龙郭丽伟李治林芦伟贾玉萍陈莲莲郭钰王刚王文军
- 文献传递
- 用Li_3N和Ga生长块状GaN单晶的生长机制
- 用Li_3N和Ga作初始原料,在较温和的条件下(800℃,1～2atm),生长出了尺寸为1～4mm的无色透明六方GaN片状单晶。通过一系列的实验结果,揭示了该方法的晶体生长机制。得到的GaN的形貌用光学显微镜和扫描电子显...
- 王文军宋有庭袁文霞曹永革吴星陈小龙
- 关键词：GAN晶体生长
- 文献传递
- 物理气相传输法AlN单晶生长
- III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料因GaN基LED的成功应用而受到广泛关注。目前制约III族氮化物半导体器件制备的一个因素是缺乏同质单晶衬底。因为大尺寸、高质量的GaN单晶生长研究进展缓慢,所以人们将目光...
- 王文军左思斌鲍慧强王刚王军陈小龙
- 关键词：单晶生长GANALN
- 文献传递
- 用于制备n型4H-SiC单晶的方法
- 本发明提供一种用于制备n型4H‑SiC单晶的方法，其依次包括以下步骤：(1)将含Si、Al和过渡金属的金属原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨籽晶杆上；(2)将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；...
- 陈小龙盛达杨云帆李辉王文军郭建刚
