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李发

作品数：5 被引量：42H指数：2
供职机构：电子工业部第十二研究所更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇化学工程

主题

  • 3篇陶瓷
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇电性能
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 1篇氮化铝陶瓷
  • 1篇导热性
  • 1篇电弧管
  • 1篇电烙铁
  • 1篇电损耗
  • 1篇熔料
  • 1篇烧结温度
  • 1篇碎玻璃
  • 1篇搪瓷
  • 1篇陶瓷制品
  • 1篇添加剂
  • 1篇透明陶瓷
  • 1篇无损伤

机构

  • 5篇电子工业部第...
  • 2篇清华大学

作者

  • 5篇李发
  • 4篇高陇桥
  • 3篇杜帅
  • 2篇李龙土
  • 2篇刘征
  • 1篇胡美华
  • 1篇谭少华
  • 1篇李景勋

传媒

  • 2篇硅酸盐学报

年份

  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1987
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
封接用玻璃焊料及其制备方法
封接用玻璃焊料及其制备方法，它是用十多种氧化物原料分别按一定要求的重量百分比混合，混合均匀后置于粘土坩埚中，于800～1350℃温度范围内熔制1～2小时，再用铸铁勺淘出玻璃熔料，倒入盛有自来水的金属容器中，水冷淬碎，捞出...
杜帅姜其先高陇桥李发
文献传递
用于高压钠灯的透明氧化铝陶瓷制品及工艺
本发明给出一种用于高压钠灯中做为电弧管的透明氧化铝陶瓷制品及其工艺。研究出一种Y、La、Mg、Zr氧化物四元复合添加剂，加入高纯Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>中，使所得透明氧化铝陶瓷电弧管制品获得...
李发胡美华谭少华包廷英赵华源高陇桥杨钰平
文献传递
AlN陶瓷的介电性能被引量：20
1998年
着重探讨了ＡｌＮ陶瓷的极化机理，应用基本的电介质物理理论，结合ＡｌＮ陶瓷的组成特点，研究了ＡｌＮ陶瓷介电性能（介电常数、介电损耗角正切值）随测量温度、测量频率变化而变化的温度特性和频率特性．结果表明：ＡｌＮ陶瓷的主要极化机理为空间电荷极化；经典的极化理论适用于ＡｌＮ陶瓷；ＡｌＮ陶瓷因介电性能较好，导热率较高而有望成为比Ａｌ２Ｏ３陶瓷性能更加优良的基板材料．
杜帅高陇桥刘征李发李发
关键词：氮化铝陶瓷介电常数介电损耗陶瓷
AlN-BN复合陶瓷的介电性能被引量：27
1997年
以ＡｌＮＢＮ复合陶瓷为研究对象，着重探讨了ＡｌＮＢＮ复合陶瓷的极化机理，应用基本的电介质物理理论，结合ＡｌＮＢＮ复合陶瓷的组成和结构特点，研究了ＡｌＮＢＮ复合陶瓷介电性能（介电常数、介电损耗角正切值）随测量温度、测量频率变化而发生变化的温度特性和频率特性。
杜帅李龙土刘征高陇桥李发
关键词：氮化铝复合陶瓷陶瓷介电性
高导热陶瓷烙铁头
一种高导热陶瓷烙铁头,是连接在普通电烙铁加热芯体上的烙铁头,它包括金属焊头、与其封焊连接的高导热陶瓷柱另一端封焊连接的烙铁芯套筒,本烙铁头既能绝缘、防止漏电又有良好的导热性能。便于进行高质量的无损伤的焊接操作。
杨钰平李景勋李发
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