2024年12月29日
星期日
|
欢迎来到佛山市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
贾泽
作品数:
2
被引量:0
H指数:0
供职机构:
电子科技大学
更多>>
合作作者
吴肖
电子科技大学
葛学彩
电子科技大学
刘俊杰
电子科技大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
中文专利
主题
2篇
导体
2篇
沟道
2篇
半导体
2篇
半导体薄膜
2篇
半导体薄膜材...
2篇
背栅
1篇
信号
1篇
栅介质
1篇
敏感场
1篇
衬底
1篇
衬底材料
机构
2篇
电子科技大学
作者
2篇
刘俊杰
2篇
葛学彩
2篇
吴肖
2篇
贾泽
年份
1篇
2016
1篇
2014
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
背栅式离子敏感场效应晶体管
背栅式离子敏感场效应晶体管,属于半导体器件技术领域,涉及半导体生物传感器。包括衬底材料、位于衬底材料正面的半导体沟道层材料、半导体沟道层材料正面的两个上电极(源极和漏极);源极和漏极之间的半导体沟道层材料形成器件沟道区,...
贾泽
吴肖
陆岠
葛学彩
刘俊杰
文献传递
背栅式离子敏感场效应晶体管
背栅式离子敏感场效应晶体管,属于半导体器件技术领域,涉及半导体生物传感器。包括衬底材料、位于衬底材料正面的半导体沟道层材料、半导体沟道层材料正面的两个上电极(源极和漏极);源极和漏极之间的半导体沟道层材料形成器件沟道区,...
贾泽
吴肖
陆岠
葛学彩
刘俊杰
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张