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吴肖

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇导体
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇极化强度
  • 2篇沟道
  • 2篇感器
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇半导体薄膜材...
  • 2篇背栅
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇信号
  • 1篇栅介质
  • 1篇生化传感器
  • 1篇漏电
  • 1篇敏感场
  • 1篇GZO
  • 1篇ISFET
  • 1篇衬底

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇吴肖
  • 2篇刘俊杰
  • 2篇葛学彩
  • 2篇贾泽

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
背栅式离子敏感场效应晶体管
背栅式离子敏感场效应晶体管，属于半导体器件技术领域，涉及半导体生物传感器。包括衬底材料、位于衬底材料正面的半导体沟道层材料、半导体沟道层材料正面的两个上电极（源极和漏极）；源极和漏极之间的半导体沟道层材料形成器件沟道区，...
贾泽吴肖陆岠葛学彩刘俊杰
文献传递
离子感应场效应型传感器及相关材料技术研究
离子敏感场效应晶体管（Ion-Sensitive Field Eeffct Transistor，ISFET）作为一种可用于检测生物化学信号的敏感元件，由其构成的生化传感器具有体积小、制造成本低、特异性强、易于集成、无破...
吴肖
关键词：生化传感器铁电薄膜极化强度
离子感应场效应型传感器及其相关材料技术研究
离子敏感场效应晶体管(Ion-Sensitive Field Eeffct Transistor,ISFET)作为一种可用于检测生物化学信号的敏感元件,由其构成的生化传感器具有体积小、制造成本低、特异性强、易于集成、无破...
吴肖
关键词：ISFET铁电薄膜极化强度
文献传递
背栅式离子敏感场效应晶体管
背栅式离子敏感场效应晶体管，属于半导体器件技术领域，涉及半导体生物传感器。包括衬底材料、位于衬底材料正面的半导体沟道层材料、半导体沟道层材料正面的两个上电极（源极和漏极）；源极和漏极之间的半导体沟道层材料形成器件沟道区，...
贾泽吴肖陆岠葛学彩刘俊杰
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