陈占国
- 作品数：60 被引量：28H指数：4
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 微型电光探针的研制被引量：2
- 2002年
- 介绍了用湿法化学腐蚀的方法制备GaAs晶体微型电光探针 .用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了探针形貌 .微探针为金字塔形 ,底座是边长为 2 0 μm的正方形 ,尖端尺寸在 2 μm左右 .侧面比较光滑 ,棱角分明 .微型电光探针整体尺寸很小 ,在外电光检测系统中可以显著降低对被测电场的影响 ,从而提高测量精度 .
- 李海兰贾刚张晓婷周志雄陈占国
- 关键词：湿法腐蚀GAAS晶体
- 硅材料场致等效二阶极化率张量的研究被引量：4
- 2005年
- 具有反演对称中心的硅单晶在电场作用下体内的反演对称中心消失,因而理论上应产生偶数阶非线性极化率。从理论上根据矢量与张量的作用,利用(eχf2f)=χ(3).E这一关系和张量变换理论系统地阐述了硅材料在内建电场或外加电场的作用下,具体在方向分别沿[111][、110]和[001]的电场作用下,得到的等效二阶极化率张量(eχf2f)分别与C3v、C2v和C4v点群的二阶极化率张量具有相同的形式,说明在物理性质方面,硅的对称性由Oh群在相应方向电场作用下分别被降低为C3v、C2v和C4v群,因此应该具有相应对称性晶体的二阶非线性光学性质;提出了电场E沿任意方向时硅的等效二阶极化率张量e(χf2f)的计算方法,对研究硅材料和其他具有反演对称中心材料的场致二阶非线性光学性质实验具有指导意义。
- 刘秀环陈占国贾刚张晓婷张玉红
- 关键词：非线性光学双光子吸收
- 基于大厚度六方氮化硼中子探测器的制备
- 2024年
- 六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表明制备的六方氮化硼材料的迁移率寿命的乘积(μτ)为2.8×10^(-6)cm^(2)/V,电阻率为1.5×10^(14)Ω·cm。在850V电压下,该探测器对热中子的探测效率为34.5%,电荷收集效率为60%。
- 刘敬润曹炎刘晓航范盛达王帅陈曦刘洪涛刘艳成赵江滨何高魁陈占国
- 关键词：宽禁带半导体六方氮化硼中子探测
- 半球形和球形双光子响应半导体光电探测器
- 本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器，由半导体半球(1)、金属电极对(2，2’)和显微物镜(3)组成，其特征在于：...
- 贾刚陈占国刘秀环时宝
- 文献传递
- 一种多光吸收层结构的宽光谱光电探测器及其制备方法
- 一种多光吸收层结构的宽光谱光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。由硅衬底层1、氧化锌层2(厚度50～200nm)、具有叉指结构的掩埋式电极层3(叉指间距和叉指宽度均为3～20μm，对数为20～40对，厚度5...
- 陈占国关宇锋王帅刘晓航陈曦赵纪红高延军
- 六方氮化硼中子探测器的研究进展
- 2022年
- 六方氮化硼中子探测器具有泄漏电流小、体积小、响应速度快、探测效率高、对γ射线不灵敏等优点,有望取代传统的^(3)He气体探测器和微结构半导体中子探测器而得到广泛应用。文章介绍了六方氮化硼中子探测器的原理,从制备工艺、探测器结构、探测器性能等方面综述了六方氮化硼中子探测器近年来的研究进展。
- 范子阳陈曦陈占国赵江滨何高魁
- 关键词：六方氮化硼中子探测器
- [110]晶向近本征硅单晶双光子吸收各向异性
- 2012年
- 以沿[110]晶向切割的近本征硅单晶为样品,通过研究样品对连续波固体激光器所产生的1.3μm的近红外光的双光子吸收所诱导的光电流对入射光偏振方向的依赖关系,研究了双光子吸收的各向异性.测得了硅单晶对该波长的光的三阶极化率张量χ(3)的各向异性系数为-0.25,两个独立分量的比值χxxxx/χxxyy的幅度为2.4,并基于前期工作所得的χxxyy的结果,进而确定了另一分量χxxxx的值大约为1.49×10-19m2/V2.
- 刘秀环李明利陈占国贾刚时宝朱景程牟晋博李一
- 关键词：非线性光学硅单晶双光子吸收三阶极化率
- N型硅衬底上射频磁控溅射法制备氮化硼薄膜的研究
- 李鑫璐冯双王琦贺俊博刘秀环侯丽新高延军贾刚陈占国
- 硅材料场致二阶非线性光学效应的理论和实验研究
- 硅是目前应用最为广泛、工艺最为成熟的传统半导体材料，它不仅是微电子学领域的主体材料，也是发展集成光学、集成光电子学的首选材料。由此发展起来的硅基光电子学、硅光子学已经成为目前的研究热点之一。制约硅光子学发展的重大障碍有两...
- 陈占国贾刚刘秀环赵建勋张玉红朱景程孙鉴波张志平
- 关键词：硅材料光学效应
- 文献传递
- [111]方向电场诱导的硅的倍频效应
- 理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3v点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{1(1)0}面入射,从而研究硅的场致倍...
- 刘秀环陈占国贾刚
- 关键词：硅晶体倍频效应
- 文献传递
