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侯丽新

作品数：16 被引量：1H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
相关领域：一般工业技术经济管理化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇经济管理
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇氮化硼薄膜
  • 7篇溅射
  • 7篇半导体
  • 7篇磁控
  • 5篇氮化
  • 5篇射频磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇氮化硼
  • 4篇原位掺杂
  • 4篇溅射功率
  • 4篇掺杂
  • 3篇氮化镁
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇探测器
  • 3篇六方氮化硼
  • 3篇光电
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇半导体掺杂
  • 2篇导体

机构

  • 16篇吉林大学

作者

  • 16篇侯丽新
  • 12篇刘秀环
  • 12篇高延军
  • 12篇陈占国
  • 10篇陈曦
  • 10篇赵纪红
  • 5篇王帅
  • 4篇刘晓航
  • 3篇张文博
  • 2篇王鑫
  • 2篇贾刚
  • 1篇李清

传媒

  • 1篇中国管理信息...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2006
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法
一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构...
陈占国李方野赵纪红刘秀环王帅陈曦侯丽新高延军
文献传递
上市公司自愿性信息披露程度影响因素的实证研究
2010年
本文研究了我国上市公司自愿性信息披露程度的影响因素,实证检验的结果是:法律环境、董事会成员持股比例、公司盈利能力等指标与自愿性信息披露程度显著正相关。
侯丽新李清孙晶
关键词：自愿性信息披露公司治理实证研究
一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法
一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备和掺杂技术领域。本发明采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术，通过BCl<Sub>3</Sub>+NH<Sub>3</Sub>→hBN+HCl反应在衬底上...
陈占国范盛达刘晓航陈曦侯丽新刘秀环赵纪红高延军
颜色分区的片状立方氮化硼单晶的特性研究
立方氮化硼(cubic boron nitride, cBN)晶体，是一种人工合成的III-V族半导体材料，目前，人们还没有发现天然存在的cBN晶体。研究表明，cBN的禁带宽度(~6.4eV)是III-V族化合物和IV族...
侯丽新
关键词：宽禁带半导体立方氮化硼拉曼散射
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一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法
一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料制备和半导体掺杂技术领域。其是将高纯的hBN靶、高纯Zn靶和清洗后的衬底放入磁控溅射生长室内，采用射频磁控双靶共溅射技术，在hBN薄膜生长过程中原位掺入Zn...
陈占国王鑫侯丽新刘秀环全海燕王帅高延军贾刚
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一种氮化镁薄膜及其制备方法
一种氮化镁(Mg<Sub>3</Sub>N<Sub>2</Sub>)薄膜及其制备方法，属于无机非金属材料领域。其是将高纯Mg靶和清洗后的衬底(硅、蓝宝石、石英、以六方氮化硼为缓冲层的硅、以六方氮化硼为缓冲层的蓝宝石等)放...
陈占国王帅陈曦赵纪红刘秀环侯丽新李方野高延军
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一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法
一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明利用磁控溅射技术在蓝宝石或石英等衬底上生长一层Cu薄膜作为缓冲层，然后再采用低压化学气相沉积技术在Cu缓冲层上外延生长二维...
陈占国赵泽利陈曦赵纪红刘秀环侯丽新高延军
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一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法
一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构...
陈占国李方野赵纪红刘秀环王帅陈曦侯丽新高延军
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一种Mg原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法
一种Mg原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体掺杂技术领域。采用射频磁控溅射技术，首先在衬底上进行第一层hBN薄层的溅射生长，然后再接着进行第一层Mg杂质源的溅射生长，每个溅射周期得到的膜厚为20～60nm...
陈占国刘晓航陈曦赵纪红刘秀环侯丽新高延军
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一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法
一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明所述六方氮化硼深紫外光电探测器，自下而上由c轴蓝宝石衬底层、六方氮化硼层、嵌入式MSM电极结构层和六方氮化硼包层组成，其中嵌...
孙浩航陈占国刘晓航张文博陈曦赵纪红侯丽新刘秀环高延军
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