您的位置： 专家智库 > >

王静宇

作品数：27 被引量：26H指数：3
供职机构：昆明物理研究所更多>>
发文基金：云南省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇碲镉汞
  • 7篇探测器
  • 7篇碲锌镉
  • 6篇碲镉汞薄膜
  • 5篇碲锌镉晶体
  • 5篇光电
  • 5篇MOVPE
  • 4篇异质结
  • 4篇抛光
  • 4篇波段
  • 4篇衬底
  • 3篇紫外探测
  • 3篇紫外探测器
  • 3篇溅射
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇等径
  • 2篇电极

机构

  • 27篇昆明物理研究...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇云南大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 27篇王静宇
  • 14篇孔金丞
  • 13篇袁绶章
  • 8篇唐利斌
  • 7篇姜军
  • 7篇姬荣斌
  • 6篇刘朝旺
  • 6篇邓功荣
  • 6篇杨玉林
  • 6篇吴刚
  • 6篇宋炳文
  • 5篇宋林伟
  • 4篇谭英
  • 4篇赵增林
  • 3篇严顺英
  • 3篇赵鹏
  • 3篇洪雁
  • 2篇王跃
  • 2篇姬玉龙
  • 2篇李东升

传媒

  • 5篇红外技术
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇光学学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 6篇2023
  • 8篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 27 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具
本发明公开了一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具。该抛光夹具为圆柱形，包括置片块和配重块；置片块和配重块用螺纹连接，置片块上表面中心位置设置有作为片槽的凹陷区域，该区域的四周设置有弧形槽；凹陷区域为正四边形，其四条边中...
宋林伟孔金丞王静宇洪雁赵增林马震宇雷晓红木迎春杨洪文姬荣斌
一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具
本发明公开了一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具。该抛光夹具为圆柱形，包括置片块和配重块；置片块和配重块用螺纹连接，置片块上表面中心位置设置有作为片槽的凹陷区域，该区域的四周设置有弧形槽；凹陷区域为正四边形，其四条边中...
宋林伟孔金丞王静宇洪雁赵增林马震宇雷晓红木迎春杨洪文姬荣斌
文献传递
基于石墨烯/p-GaN/AlGaN异质结的透明双波段、可变工作模式的紫外探测器
基于石墨烯/p‑GaN/AlGaN异质结的透明双波段、可变工作模式的紫外探测器及其制备方法，涉及光电技术领域。探测器是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，台面下部,在n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料表面的...
吴刚唐利斌邓功荣郝群才玉华袁绶章黄善杰王静宇魏红谭英孔金丞
一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法
本发明公开了一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法，该方法将碲锌镉晶体采用镉饱和气氛退火处理，实现镉原子热扩散消除碲锌镉晶体中导电类型转变界面、改善碲锌镉晶锭的均匀性和一致性。该方法提升了材料的光学性能、电学性能及组分...
赵文孔金丞姜军李沛俞见云李俊陈少璠庹梦寒王静宇陈姗姬荣斌
带有纳米介质层的NiO/TiO<Sub>2</Sub>/ZnO紫外光电探测器及其制备方法
带有纳米介质层的NiO/TiO<Sub>2</Sub>/ZnO紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域，尤其是通过磁控溅射法生长NiO/TiO<Sub>2</Sub>/ZnO薄膜并退火，本发明的探测器从下至上依次是衬...
唐利斌商国新吴刚袁绶章贾梦涵姬玉龙王静宇
Pt/p-GaN/AlGaN异质结紫外探测器及其制备方法
基于Pt/p‑GaN/AlGaN异质结的高探测率紫外探测器及其制备方法，涉及光电技术领域。该器件是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，下台面采用n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料，在其表面生长多层金属Ti/...
唐利斌邓功荣袁绶章吴刚郝群罗磊王静宇魏红严顺英谭英孔金丞
MOVPE有CdTe衬底的损伤层研究
对用于有机金属汽相外延(MOVPE)生长的<211>方向的碲化镉(CdTe)衬底进行多次抛光、腐蚀，在相同的测量条件下，测其X射线双晶衍射回摆曲线的全半高宽度(FWHM)，研究CdTe衬底的表面损伤。
王静宇刘朝旺杨玉林宋炳文
关键词：损伤层
一种用于碲锌镉晶体制备过程中生长坩埚的SiC支撑托
本发明涉及一种用于碲锌镉晶体制备过程中生长坩埚的SiC支撑托，包括底座基体，该基体为圆柱体生长坩埚支撑托，其上端面为与生长坩埚底面形状吻合的弧面凹槽，弧面凹槽截面弧形所在圆的外直径与生长坩埚等径段的外径相同，内直径比生长...
赵鹏姜军孔金丞陈少璠赵文庹梦寒袁绶章王静宇姬荣斌
文献传递
磁控溅射沉积PZT/Pt薄膜异质结构的研究
在SiO2/Si衬底上采用直流磁控溅射沉积复合金属薄膜Pt/Ti作为电极,薄膜电导率高,结构致密且表面无空洞等缺陷;在Pt/Ti/SiO2/Si结构衬底上采用射频磁控溅射沉积锆钛酸铅薄膜(Pb(Zr1-xTix)O3,P...
郭杰王静宇李振豪
关键词：PZTX射线衍射原子力显微镜
文献传递
一种大面积碲锌镉(211)B材料表面抛光方法
本发明公开了一种大面积碲锌镉(211)B材料表面抛光方法，碲锌镉(211)B衬底用于分子束外延碲镉汞薄膜材料，碲锌镉(211)B衬底面积为40×40mm<Sup>2</Sup>～50×50mm<Sup>2</Sup>。通...
王静宇宋林伟孔金丞万春山王正凯袁绶章姜军木迎春彭振仙邓声玉
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0