王新
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 低温烧结BaO-TiO_2-ZnO系陶瓷的研究被引量：3
- 2010年
- 将ZnO-H3BO3(ZB)玻璃作为烧结助剂添加到BaO-TiO2-ZnO系(BTZ)陶瓷中,以实现BTZ陶瓷的低温烧结。研究了ZB玻璃的加入及球磨时间对BTZ陶瓷的烧结性能和介电性能的影响。结果表明:ZB玻璃的加入,明显降低了BTZ陶瓷的烧结温度。添加质量分数6%的ZB玻璃、球磨10 h时,BTZ陶瓷能够在950℃下致密烧结,获得良好的介电性能(1 MHz):εr=35.55,tanδ=2.2×10–4,–10×10–6/℃<α<+10×10–6/℃(–55～+125℃)。
- 黄刚吴顺华张宝林李世春王新
- 关键词：LTCC介电性能
- Bi_4(Ti_(1/3)Sn_(2/3))_3O_(12)掺杂BaTiO_3基X8R陶瓷微观结构与介电性能(英文)被引量：3
- 2012年
- 研究了Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12掺杂对钛酸钡基陶瓷微观结构和介电性能影响。结果表明,掺杂Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12后钛酸钡基陶瓷晶粒明显长大,同时烧结温度可由1 280℃降低至1 180℃。系统的介电性能和Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12的掺杂量有密切关系。当Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12的掺杂量从0.5mol%增加到2mol%,体系的居里峰被明显压低和展宽,当掺杂量为2mol%时居里峰变得不明显。当Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12的掺杂量从0.5mol%增加到2mol%,系统的居里温度由131℃升高至139℃。当Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12的掺杂量为1mol%时,钛酸钡基陶瓷介电常数为1 930,介电常数温度变化率为5%(-55℃),13%(134℃),-8%(150℃),满足X8R标准。
- 肖谧王新张倩倩丁华明
- 关键词：晶粒生长介电性能钛酸钡X8R
- 低温烧结(Zn_(0.65)Mg_(0.35))TiO_3-CaTiO_3介电陶瓷的研究被引量：2
- 2011年
- 本文对（Zn0.65Mg0.35）TiO3-CaTiO3（ZMT-CT）系统的微观结构和介电性能进行了研究。研究结果表明,通过添加一定量H3BO3-ZnO-BaCO3（BZB）玻璃能够促进晶粒生长,有效降低烧结温度。同时,调节（Zn0.65Mg0.35）TiO3和CaTiO3比例可以获得温度系数在零附近的瓷料。当加入6.5wt%BZB时瓷料可以在900℃烧结,rε=21~22,αε（±30 ppm/℃,tanδ=1.3×10-4（1 MHz）,是制备LTCC（低温共烧陶瓷电容器）的优秀候选材料,具有很好的应用前景。
- 王新吴顺华张永刚黄刚李世春
- 关键词：CATIO3LTCC
