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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇短波长
  • 1篇对光
  • 1篇氧化锌
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  • 1篇温度
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  • 1篇化学气相
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  • 1篇发光二极管
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  • 1篇半导体发光二...
  • 1篇PL
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD方...
  • 1篇波长
  • 1篇ZNO薄膜
  • 1篇EL

机构

  • 2篇山东大学

作者

  • 2篇尉吉勇
  • 2篇黄柏标
  • 2篇朱宝富
  • 2篇李宪林
  • 2篇秦晓燕
  • 1篇张琦
  • 1篇姚书山
  • 1篇于永芹
  • 1篇张晓阳

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究被引量:1
2005年
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发光特性。由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽(FWHM)由普通LED的20 nm降到4 nm以下。最好的器件测试结果表明,可以在60 mA、2.71 V下,实现1.45 mW以上发射功率,最窄FWHM在3 nm。
尉吉勇黄柏标秦晓燕张晓阳张琦姚书山朱宝富李宪林
以乙醇为氧源生长ZnO薄膜中温度对光谱影响的研究被引量:2
2004年
本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响。我们分别在350℃、370℃、380℃、400℃和420℃温度下生长了ZnO薄膜,并对其发光光谱进行了研究。结果表明适当地提高生长温度可以使近带边发光峰蓝移,但温度过高,使得峰位红移并展宽。在380℃的生长条件下得到了较好的光谱。370℃条件下还出现了474nm的发光峰,经退火后此峰消失。
李宪林黄柏标朱宝富于永芹尉吉勇秦晓燕
关键词:乙醇ZNO薄膜温度MOCVD方法氧化锌
共1页<1>
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