- 大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究被引量：1
- 2003年
- 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。
- 潘教青黄柏标张晓阳任忠祥秦晓燕朱宝富李先林
- 关键词：金属有机物化学气相沉积应变量子阱激光器INGAAS/GAAS量子阱
- MOCVD生长ZnO和Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜及性能研究
- 近几年商业上对研制高效的蓝光LED和短波长激光二极管的强烈需求,使人们掀起了对可产生短波长的宽禁带半导体材料的研究热潮.作为继GaN之后的新一代短波长半导体光电材料,ZnO宽禁带半导体材料具有广阔的应用前景.金属有机物化...
- 朱宝富
- 关键词：MOCVDZNO势垒
- 文献传递
- 短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究被引量：1
- 2005年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发光特性。由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽(FWHM)由普通LED的20 nm降到4 nm以下。最好的器件测试结果表明,可以在60 mA、2.71 V下,实现1.45 mW以上发射功率,最窄FWHM在3 nm。
- 尉吉勇黄柏标秦晓燕张晓阳张琦姚书山朱宝富李宪林
- 退火效应对MOCVD生长的ZnO薄膜的影响被引量：1
- 2004年
- 我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响。通过退火优化,ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强。
- 朱宝富黄柏标秦晓燕李先林姚书山尉吉勇张琦
- 关键词：退火效应氧化锌薄膜光致发光谱金属有机化学气相沉积
- 以乙醇为氧源生长ZnO薄膜中温度对光谱影响的研究被引量：2
- 2004年
- 本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响。我们分别在350℃、370℃、380℃、400℃和420℃温度下生长了ZnO薄膜,并对其发光光谱进行了研究。结果表明适当地提高生长温度可以使近带边发光峰蓝移,但温度过高,使得峰位红移并展宽。在380℃的生长条件下得到了较好的光谱。370℃条件下还出现了474nm的发光峰,经退火后此峰消失。
- 李宪林黄柏标朱宝富于永芹尉吉勇秦晓燕
- 关键词：乙醇ZNO薄膜温度MOCVD方法氧化锌
