张锦心
- 作品数：15 被引量：35H指数：4
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- p型含氮CZ—Si单晶的退火性质被引量：1
- 1993年
- 本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。
- 陈畅生曾繁清曾瑞陈炳若龙理何民才张锦心李立本
- 关键词：单晶制备退火
- 含氮直拉硅单晶的热处理方法
- 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和...
- 杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
- 文献传递
- 控制直拉硅单晶中氮含量的方法
- 一种控制直拉硅单晶中氮含量的方法，用99.99%以上的纯氮作为保护气体，采用分段控制炉内氮气压力，特别是熔硅阶段的氮气压力严格控制在266～1995Pa范围内，获得硅单晶中氮含量为1.0×10<Sup>14</Sup>～...
- 李立本张锦心阙端麟
- 硅片塑性形变与位错被引量：3
- 1998年
- 通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。
- 谢书银袁鹏万关良李励本张锦心
- 关键词：硅片塑性形变位错
- 硅中的氮氧复合物及其施主行为被引量：4
- 1999年
- 含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失．文章进一步研究了氮—新施主的结构模型，并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨．
- 刘培东张锦心李立本阙端麟
- 关键词：硅电学性能
- 氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用被引量：10
- 2001年
- 通过常温下压痕之后的高温热处理实验 ,研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用 ,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理 .实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用 ,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶 (CZSi) .同时指出 ,NCZSi的位错激活能比 CZSi的要高 ,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较 CZSi快 。
- 李东升杨德仁朱爱平黄笑容王淦张锦心李立本阙端麟
- 关键词：单晶硅位错半导体材料
- 硅片高温工艺与塑性形变被引量：1
- 1998年
- 为减小硅片高温工艺中的形变，通过仿硅器件在１２００℃热处理１．５ｈ高温工艺热处理实验，研究了装片方式、升温速率和急冷温度等工艺条件对硅片弯曲度变化的影响，实验结果表明硅片热处理中塑性形变主要是在急冷过程产生的，快速加热对形变影响不大。急冷温度越高，硅片中心与边缘温差越大，因产生位错和滑移形成的塑性形变就越大，１２００℃急冷的弯曲度变化是７７０℃急冷的４倍，水平装片比竖直装片形变大，紧贴式装片比间隔式容易弯曲。采用降低急冷温度，由１２００℃缓慢降至７７０℃左右再急冷，配合竖直间隔方式装片和容器加盖等方法可减少高温工艺中硅片的形变。
- 谢书银万关良李立本张锦心
- 关键词：硅片塑性形变
- 含氮CZ硅力学行为研究被引量：2
- 1993年
- 用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。
- 石志仪谢书银佘思明李立本张锦心
- 关键词：单晶制备直拉硅
- 控制直拉硅单晶中氮含量的方法
- 一种控制直拉硅单晶中氮含量的方法，用99.99％以上的纯氮作为保护气体，采用分段控制炉内氮气压力，特别是熔硅阶段的氮气压力严格控制在2～15托范围内，获得硅单晶中氮含量为1.0×10<Sup>14</Sup>～7.0×1...
- 李立本张锦心阙端麟
- 文献传递
- 含氮直拉硅单晶的热处理方法
- 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和...
- 杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
- 文献传递
