阙端麟
- 作品数：237 被引量：498H指数：11
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- 硫化镉纳米棒的制备方法
- 本发明公开的硫化镉纳米棒的制备方法，包括以下步骤：1)在浓度为0.01M的含镉离子溶液中，按体积比1∶0.01～100比例加入巯基乙酸，充分搅拌后，再按体积比1∶0.01～100比例加入浓度为0.01M硫化钠；2)把上述...
- 杨德仁张辉马向阳吉宇杰阙端麟
- 文献传递
- 硅中缺陷对Cu杂质的吸杂
- Cu是晶体硅中一种常见的过渡族金属杂质,在硅铸锭、硅片切割、芯片制造以及太阳电池工艺中极易被引入。硅中的Cu是一种扩散速度非常快的金属杂质,即使是在温度比较低的情况下,Cu杂质都可以快速扩散,因此,间隙态的Cu杂质很难长...
- 李晓强杨德仁余学功汪雷阙端麟
- 文献传递
- 一种硅基二氧化钛电致发光器件及其制备方法
- 本发明公开的硅基二氧化钛电致发光器件，在硅衬底的正面自下而上依次沉积有TiO<Sub>2</Sub>薄膜和透明ITO电极，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。其制备步骤如下：先将P型或N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的...
- 杨德仁马向阳章圆圆陈培良阙端麟
- 文献传递
- 制备纳米硒管的方法
- 本发明公开的制备纳米硒管的方法，步骤如下：1)将单质硒粉放入高压釜中，在高压釜里面加入水、酒精、氨水和肼，水∶酒精∶氨水∶肼的体积比为2～10∶1～10∶3～10∶6～10；2)把高压釜放置在100～500℃的温度下处理...
- 杨德仁张辉马向阳阙端麟
- 文献传递
- 减压充氮直拉硅单晶技术
- 1991年
- 李立本阙端麟
- 关键词：硅单晶氮气
- 微氮硅单晶中氧沉滨被引量：7
- 1994年
- 实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用．
- 杨德仁姚鸿年阙端麟
- 关键词：硅单晶氮氧
- 控制直拉硅单晶中氮含量的方法
- 一种控制直拉硅单晶中氮含量的方法，用99.99％以上的纯氮作为保护气体，采用分段控制炉内氮气压力，特别是熔硅阶段的氮气压力严格控制在2～15托范围内，获得硅单晶中氮含量为1.0×10<Sup>14</Sup>～7.0×1...
- 李立本张锦心阙端麟
- 文献传递
- 重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示被引量：1
- 2006年
- 本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间。此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨。
- 方敏杨德仁马向阳阙端麟
- 关键词：直拉单晶硅FPD
- 多孔硅/多孔氧化铝与DBO-PPV复合光致发光特性研究被引量：1
- 2004年
- 通过旋涂法,实现了阳极氧化多孔硅和多孔氧化铝与有机发光材料DBO-PPV的复合。发光特性的测试表明,多孔硅与DBO-PPV复合后发光光谱中出现了在多孔硅和DBO-PPV的光致发光谱中都没有的发光峰,被认为是DBO-PPV向多孔硅发生了载流子的转移。而多孔氧化铝/DBO-PPV复合体系的发光特性兼具有多孔氧化铝和DBO-PPV的特征,PL谱呈现多峰的结构(四峰)。多孔氧化铝的纳米孔有效地吸附了DBO-PPV分子,抑制了DBO-PPV分子的聚集,使它的禁带宽度变宽,从而使DBO-PPV的发光峰蓝移,蓝移量为90nm。
- 赵毅杨德仁阙端麟
- 关键词：光致发光特性旋涂法多孔硅多孔氧化铝半导体材料
- 锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响
- 2005年
- 通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实验结果表明，经过退火后，掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅，这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成，并对相关的机制做了初步探讨．
- 江慧华杨德仁田达晰马向阳李立本阙端麟
- 关键词：锗氧沉淀
