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康香宁
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109
被引量:55
H指数:5
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北京大学
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国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
电气工程
理学
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合作作者
张国义
北京大学物理学院人工微结构与介...
陈志忠
北京大学物理学院人工微结构与介...
沈波
北京大学物理学院人工微结构与介...
于彤军
北京大学物理学院人工微结构与介...
秦志新
北京大学物理学院
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一种倒装LED芯片的封装方法
本发明的目的是提供一种倒装LED芯片的封装方法,提高LED外量子效率。利用高热导率的Al、Cu,直接与芯片键合,降低封装热阻,同时降低flip-chip封装的成本。本发明利用厚Cu及Au凸点把倒装焊芯片与Al印刷电路板直...
陈志忠
康香宁
秦志新
张国义
文献传递
高功率GaN基LED器件的研究现状与发展
<正>1引言自从1962年美国通用电气公司的Holonyak博士发明了世界上第一支发光二极管(LED)以来,使LED发出全部颜色可见光的努力就没有停止过。AlGaInP材料制成的LED可以覆盖从红光(650nm)到黄光(...
孙永健
张国义
陈志忠
于彤军
康香宁
文献传递
自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法
本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术,以提高激光器腔镜面的光学质量,减小光学损耗,改善散热效率,达到减小激光器的阈值电流密度,提高器件的综合性能指标的目...
康香宁
胡晓东
王琦
章蓓
杨志坚
徐科
陈志忠
于彤军
秦志新
张国义
文献传递
一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法
本发明提供一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiN<Sub>x</Sub>掩膜层的方法,其特征是,MOCVD反应腔中突变导致非稳定气流环境下在线生长SiN<Sub>x</Sub>掩膜层。在线的SiN<Sub>x</S...
罗睿宏
吴洁君
刘南柳
康香宁
张国义
文献传递
一种micro LED芯片的拉曼增强的检测方法及其装置
本发明公开了一种micro LED芯片的拉曼增强的检测方法及其装置。本发明提出的检测方法中,将光致发光检测和拉曼检测结合,光致发光检测提供发光波长和亮度信息,拉曼检测给出电学性质,弥补了光致发光检测准确度不足的问题;采用...
陈志忠
潘祚坚
焦飞
张树霖
康香宁
陈怡帆
詹景麟
陈毅勇
聂靖昕
沈波
一种微米LED芯片内互联的实现方法
本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法,属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难,进而降低了对封装设备和工艺的要求,可以大幅度提...
陈志忠
李诚诚
康香宁
焦飞
冯玉龙
詹景麟
于彤军
沈波
文献传递
一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用
本发明涉及一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用,该方法包括以下步骤:S2:调整生长温度到临界生长温度,准备生长Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<Sub>y</Sub>Ga<S...
许福军
沈波
孙元浩
王嘉铭
康香宁
秦志新
文献传递
一种基于非极性面氮化镓的高极化度自旋LED及其制备方法
本发明公开了一种基于非极性面氮化镓的高圆偏振极化度的自旋LED及其制备方法,采用非极性面(m面或a面)氮化镓为衬底制备倒置结构的自旋LED,有效增加了圆偏振极化度上限和电子自旋弛豫寿命,使得正面出光的实际圆偏振极化度大幅...
唐宁
沈波
刘星辰
张晓玥
张云帆
康香宁
杨学林
王新强
许福军
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在金属热沉上的激光剥离功率型LED芯片及其制备方法
本发明设计一种在金属热沉上制备激光剥离衬底的功率型LED芯片及其制备方法,具体步骤为:在蓝宝石衬底GaN外延片上大面积蒸镀透明电极Ni/Au;在透明电极上蒸镀Ni/Ag/Ti/Au反射层;在反射层上电镀平整的、周期性的金...
陈志忠
康香宁
秦志新
于彤军
胡晓东
章蓓
杨志坚
张国义
文献传递
一种LED封装方法
本发明提供了一种LED封装方法,属于光电器件技术领域。该方法在封装过程中,利用AAO模板在环氧树脂上制备出周期性微结构,具体为:制备与所要封装的LED芯片的波长相匹配的周期性微结构的AAO模板;然后将AAO模板均匀铺在L...
于彤军
邓俊静
付星星
康香宁
陈志忠
张国义
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