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文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜板
  • 2篇栅介质
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇图形化
  • 2篇离子束
  • 2篇离子束刻蚀
  • 2篇金属
  • 2篇刻蚀
  • 2篇集成电路
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应器件
  • 2篇衬底
  • 2篇大规模集成电...
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻胶
  • 1篇光学曝光

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇王浩敏
  • 4篇孙秋娟
  • 4篇谢红
  • 4篇康晓旭
  • 4篇谢晓明
  • 2篇刘晓宇
  • 2篇江绵恒
  • 2篇邓联文

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法
本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法,该石墨烯场效应器件包括:具有栅电极沟槽的衬底;形成于所述栅电极沟槽中的栅电极;Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介电薄膜层,位于所述栅电极沟...
王浩敏谢红孙秋娟康晓旭刘晓宇谢晓明
文献传递
薄膜图形化方法
本发明提供一种薄膜图形化方法,该方法至少包括以下步骤:提供一非金属衬底,并在该非金属衬底上形成光刻胶;进行光学曝光,将预设图形转移至该光刻胶上;在步骤2)之后获得的结构上沉积金属层;然后去除光刻胶并剥离,获得所需金属图形...
孙秋娟王浩敏左青云康晓旭谢红邓联文谢晓明江绵恒
文献传递
薄膜图形化方法
本发明提供一种薄膜图形化方法,该方法至少包括以下步骤:提供一非金属衬底,并在该非金属衬底上形成光刻胶;进行光学曝光,将预设图形转移至该光刻胶上;在步骤2)之后获得的结构上沉积金属层;然后去除光刻胶并剥离,获得所需金属图形...
孙秋娟王浩敏左青云康晓旭谢红邓联文谢晓明江绵恒
文献传递
一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法
本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法,该石墨烯场效应器件包括:具有栅电极沟槽的衬底;形成于所述栅电极沟槽中的栅电极;Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介电薄膜层,位于所述栅电极沟...
王浩敏谢红孙秋娟康晓旭刘晓宇谢晓明
文献传递
共1页<1>
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