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王浩敏

作品数：87 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国科学院战略性先导科技专项国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 76篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 3篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 56篇石墨
  • 55篇石墨烯
  • 23篇衬底
  • 16篇电极
  • 15篇氮化
  • 15篇氮化硼
  • 11篇纳米
  • 11篇纳米带
  • 11篇化学气相
  • 11篇场效应
  • 10篇图形化
  • 10篇六方氮化硼
  • 10篇金属
  • 10篇化学气相沉积
  • 9篇超导
  • 8篇气相沉积
  • 7篇单晶
  • 7篇石墨烯纳米带
  • 7篇量子
  • 7篇绝缘衬底

机构

  • 87篇中国科学院
  • 6篇江苏云涌电子...
  • 3篇上海科技大学
  • 2篇中南大学
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 87篇王浩敏
  • 74篇谢晓明
  • 46篇谢红
  • 40篇吴天如
  • 33篇江绵恒
  • 21篇张学富
  • 20篇孙秋娟
  • 17篇李蕾
  • 16篇卢光远
  • 16篇贺立
  • 10篇邓联文
  • 10篇陈吉
  • 10篇王秀君
  • 9篇刘晓宇
  • 6篇唐述杰
  • 6篇张有为
  • 6篇张道礼
  • 4篇杨喜超
  • 4篇刘建影
  • 4篇王玲

传媒

  • 2篇科学通报
  • 2篇物理学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇科技纵览

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 7篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 9篇2018
  • 13篇2017
  • 15篇2016
  • 12篇2015
  • 10篇2014
  • 9篇2013
共 87 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多层六方氮化硼薄膜的制备方法
本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)提供一衬底；2)提供含硼固态催化剂，将含硼固态催化剂置于衬底上；3)将含硼固态催化剂进行退火处理，以使得含硼固态催化剂熔化；4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环...
时志远吴天如卢光远王秀君张超王浩敏谢晓明
一种新型量子霍尔器件及其制备方法
本发明提供一种新型量子霍尔器件及其制备方法，包括：1)提供一衬底，在所述衬底表面形成第一超导薄膜层；2)在所述第一超导薄膜层表面覆盖第一介电薄膜层；3)然后在所述第一介电薄膜层表面形成具有预设图形的石墨烯层或半导体薄膜层...
王浩敏谢红王慧山王秀君谢晓明江绵恒
文献传递
石墨烯的生长方法
本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述...
王浩敏唐述杰卢光远吴天如姜达丁古巧张学富谢红谢晓明江绵恒
文献传递
一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法
本发明提供一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法，包括步骤：1）对生长衬底进行抛光处理并进行清洗；2）将所述生长衬底置于反应腔中，对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度，然后对所述生长衬底进行等离子体预处理...
王浩敏王玲张燕刘建影谢晓明
文献传递
薄膜图形化方法
本发明提供一种薄膜图形化方法，该方法至少包括以下步骤：提供一非金属衬底，并在该非金属衬底上形成光刻胶；进行光学曝光，将预设图形转移至该光刻胶上；在步骤2）之后获得的结构上沉积金属层；然后去除光刻胶并剥离，获得所需金属图形...
孙秋娟王浩敏左青云康晓旭谢红邓联文谢晓明江绵恒
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一种相变存储单元及其制备方法
本发明提供一种相变存储单元及其制备方法，方法包括：于基底层上设置石墨烯层，于石墨烯层上设置封装层，石墨烯层的第一边界面设置第一电极层，相变材料层一端与石墨烯层的第二边界面形成电连接，另一端设置第二电极层。本发明通过石墨烯...
王浩敏王秀君宋三年于广辉宋志棠
一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法
本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后，在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜，；接着，定义源、漏电极区域，形成金属催化层，并在氢气气氛中进行退...
王浩敏谢红王慧山孙秋娟卢光远陈吉张学富吴天如谢晓明江绵恒
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一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法
本发明提供一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法，首先于两层或两层以上的石墨烯表面采用直流磁控溅射法制备金属薄膜，以在所述石墨烯表面引入悬挂键；然后采用化学腐蚀法去除所述金属薄膜，并对所述石墨烯表面进行清洗和干燥；最后...
王浩敏张有为杨喜超谢晓明
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一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法
本发明提供一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法。涉及半导体技术领域，以干法转移的方法形成h‑BN—石墨烯—h‑BN的霍尔器件作为磁场传感器的核心结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污...
王浩敏谢红王慧山李蕾谢晓明江绵恒
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可提供低能注入离子的石墨烯处理装置
本发明提供一种可提供低能注入离子的石墨烯处理装置，包括放样仓、处理仓，以及隔离阀；放样仓包括第一腔体、样品座和样品输送杆，样品座位于第一腔体内；处理仓包括第二腔体、样品台、等离子体线圈，以及上电极网和下电极网；样品台、上...
王浩敏王祎博王慧山姜程鑫王伟
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