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文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇纳米
  • 8篇纳米线
  • 6篇硝酸
  • 4篇乙烯
  • 4篇银膜
  • 4篇水溶液
  • 4篇微球
  • 4篇线阵列
  • 4篇硝酸银
  • 4篇纳米线阵列
  • 4篇聚苯
  • 4篇聚苯乙烯
  • 4篇聚苯乙烯微球
  • 4篇苯乙烯
  • 3篇导电
  • 3篇刻蚀
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇电极

机构

  • 13篇中国科学院合...

作者

  • 13篇叶长辉
  • 13篇吴摞
  • 6篇何微微
  • 6篇滕大勇
  • 5篇李淑鑫
  • 2篇张煜欣
  • 2篇冉云霞
  • 2篇王可
  • 1篇裴志彬

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种超长银纳米线的制备方法
本发明公开了一种超长银纳米线的制备方法,首先在加热温度150℃的条件下,向含有少量氯化铁FeCl<Sub>3</Sub>的乙二醇溶液中滴加硝酸银AgNO<Sub>3</Sub>与聚乙烯吡咯烷酮PVP的混合溶液;滴加20分...
何微微王可滕大勇冉云霞吴摞叶长辉
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金属银有序多孔阵列膜的制备方法
本发明公开了一种金属银有序多孔阵列膜的制备方法。它先将聚苯乙烯球溶液涂敷至基片上,再对其使用等离子体刻蚀,得到其上置有松散状有序排列的聚苯乙烯球模板的基片,接着,先将硝酸银、氢氟酸和水混合后得到成核溶液,再将其上置有松散...
叶长辉吴摞
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有序硅纳米线阵列的制备方法
本发明公开了一种有序硅纳米线阵列的制备方法,属于有序硅纳米线阵列制备领域。该方法包括:在硅片上通过旋涂制备双层聚苯乙烯微球密排阵列结构,之后用氩气等离子体蚀刻,得到初始模板;将所述初始模板放入硝酸铁溶液中浸润,浸润后再放...
吴摞叶长辉
一种超长银纳米线的制备方法
本发明公开了一种超长银纳米线的制备方法,首先在加热温度150℃的条件下,向含有少量氯化铁FeCl<Sub>3</Sub>的乙二醇溶液中滴加硝酸银AgNO<Sub>3</Sub>与聚乙烯吡咯烷酮PVP的混合溶液;滴加20分...
何微微王可滕大勇冉云霞吴摞叶长辉
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金属银有序多孔阵列膜的制备方法
本发明公开了一种金属银有序多孔阵列膜的制备方法。它先将聚苯乙烯球溶液涂敷至基片上,再对其使用等离子体刻蚀,得到其上置有松散状有序排列的聚苯乙烯球模板的基片,接着,先将硝酸银、氢氟酸和水混合后得到成核溶液,再将其上置有松散...
叶长辉吴摞
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带有有序空心球阵列的TiO<Sub>2</Sub>/C复合电极薄膜的制备方法
本发明公开了一种带有有序空心球阵列的TiO<Sub>2</Sub>/C复合电极薄膜的制备方法,首先在预处理后的导电玻璃片上制备聚苯乙烯微球模板,然后进行TiO<Sub>2</Sub>薄膜的制备,再通过高温退火,使聚苯乙烯...
张煜欣吴摞叶长辉
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二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法
本发明公开了一种二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法,使用溶液沉积法,在硅片上制备一层多孔银膜,以此银膜作为催化金属,放入氢氟酸/双氧水溶液中进行金属催化化学蚀刻,在硅片上制备出硅纳米线阵列结构,再放入加有氨水的水溶液中,...
吴摞滕大勇李淑鑫何微微叶长辉
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带有有序空心球阵列的TiO<Sub>2</Sub>/C复合电极薄膜的制备方法
本发明公开了一种带有有序空心球阵列的TiO<Sub>2</Sub>/C复合电极薄膜的制备方法,首先在预处理后的导电玻璃片上制备聚苯乙烯微球模板,然后进行TiO<Sub>2</Sub>薄膜的制备,再通过高温退火,使聚苯乙烯...
张煜欣吴摞叶长辉
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二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法
本发明公开了一种二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法,使用溶液沉积法,在硅片上制备一层多孔银膜,以此银膜作为催化金属,放入氢氟酸/双氧水溶液中进行金属催化化学蚀刻,在硅片上制备出硅纳米线阵列结构,再放入加有氨水的水溶液中,...
吴摞滕大勇李淑鑫何微微叶长辉
利用湿法刻蚀法和反转印法制备高粘附性微纳米阵列结构薄膜的方法
本发明公开了一种利用湿法刻蚀法和反转印法制备高粘附性微纳米阵列结构薄膜的方法。本发明以硝酸银/氢氟酸溶液作为沉银液,在硅片上沉积一层多孔银膜作为蚀刻催化金属,在氢氟酸/双氧水溶液或氢氧化钾/异丙醇溶液中蚀刻出所需的微纳米...
裴志彬吴摞李淑鑫叶长辉
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共2页<12>
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