您的位置： 专家智库 > >

滕大勇

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇纳米
  • 6篇纳米线
  • 4篇线阵列
  • 4篇纳米线阵列
  • 3篇银膜
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇氧化硅
  • 2篇银胶
  • 2篇银纳米线
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇柔性衬底
  • 2篇水溶液
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇自然降温
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化铁
  • 2篇二氧化硅

机构

  • 6篇中国科学院合...

作者

  • 6篇叶长辉
  • 6篇何微微
  • 6篇滕大勇
  • 6篇吴摞
  • 4篇李淑鑫
  • 2篇冉云霞
  • 2篇王可

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法
本发明公开了一种二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法，使用溶液沉积法，在硅片上制备一层多孔银膜，以此银膜作为催化金属，放入氢氟酸/双氧水溶液中进行金属催化化学蚀刻，在硅片上制备出硅纳米线阵列结构，再放入加有氨水的水溶液中，...
吴摞滕大勇李淑鑫何微微叶长辉
文献传递
一种超长银纳米线的制备方法
本发明公开了一种超长银纳米线的制备方法，首先在加热温度150℃的条件下，向含有少量氯化铁FeCl<Sub>3</Sub>的乙二醇溶液中滴加硝酸银AgNO<Sub>3</Sub>与聚乙烯吡咯烷酮PVP的混合溶液；滴加20分...
何微微王可滕大勇冉云霞吴摞叶长辉
文献传递
二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法
本发明公开了一种二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法，使用溶液沉积法，在硅片上制备一层多孔银膜，以此银膜作为催化金属，放入氢氟酸/双氧水溶液中进行金属催化化学蚀刻，在硅片上制备出硅纳米线阵列结构，再放入加有氨水的水溶液中，...
吴摞滕大勇李淑鑫何微微叶长辉
硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法
本发明公开了一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法，利用清洁硅片上制备的多孔银膜作为催化金属，通过在氢氟酸/双氧水中蚀刻来制备硅纳米线阵列，高温水蒸气下氧化形成硅-氧化硅核壳结构，再放入高温氨水溶液中，通过氧化硅阻...
吴摞滕大勇李淑鑫何微微叶长辉
文献传递
一种超长银纳米线的制备方法
本发明公开了一种超长银纳米线的制备方法，首先在加热温度150℃的条件下，向含有少量氯化铁FeCl<Sub>3</Sub>的乙二醇溶液中滴加硝酸银AgNO<Sub>3</Sub>与聚乙烯吡咯烷酮PVP的混合溶液；滴加20分...
何微微王可滕大勇冉云霞吴摞叶长辉
文献传递
硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法
本发明公开了一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法，利用清洁硅片上制备的多孔银膜作为催化金属，通过在氢氟酸/双氧水中蚀刻来制备硅纳米线阵列，高温水蒸气下氧化形成硅-氧化硅核壳结构，再放入高温氨水溶液中，通过氧化硅阻...
吴摞滕大勇李淑鑫何微微叶长辉
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0