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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇宇宙
  • 1篇宇宙射线
  • 1篇软错误
  • 1篇中子
  • 1篇Α粒子

机构

  • 3篇中芯国际集成...

作者

  • 3篇刘云海
  • 2篇简维廷
  • 1篇丁育林
  • 1篇王娜
  • 1篇何俊明

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
超深亚微米IC的宇宙射线辐射软失效研究被引量:2
2010年
辐射引起的软失效一直是影响半导体可靠性的一个重大问题。特别是宇宙射线引起的在地球表面的高能中子,由于其特有的高穿透性很难有效屏蔽防护。介绍了其造成半导体器件软失效的失效机理,并利用加速软失效测试模型分别对90,65和45 nm工艺的随机静态存储器的软失效率进行了分析,研究了该类中子造成的软失效率的影响因素及相关规律。据此预测了更高工艺技术产品的中子软失效率,在为芯片设计和制造阶段就对中子辐射可靠性的防护提供了一定的参考和依据。
冯军宏简维廷张荣哲刘云海董伟淳
关键词:宇宙射线中子单粒子翻转
α粒子加速软失效率测试的稳定性研究被引量:1
2011年
半导体器件软错误的发生具有几率低、间隔时间长的特点。资源有限条件的下实现对器件软失效率的评估需要借助放射源加速的方法,即加速软失效率测试。作为改进设计和工艺以降低软失效率的前提,就测试方法稳定性进行了系统研究。通过对两种不同制程的静态随机存储器芯片(SRAM)进行α粒子加速软失效率测试,提出了确保α粒子加速测试稳定的方法。基于相同测试条件下多次测量结果变化和测试时间的关系,给出了合理的加速软失效测试的时间推荐值,保证了测试结果的有效性。
王娜何俊明刘云海丁育林丁佳妮
关键词:Α粒子软错误
产品可靠性测试失效的预分析
2009年
产品可靠性测试的失效分析是半导体失效分析的重要也是极具挑战性的部分。而物性失效分析前的预分析(包括电性失效分析)又是整个产品可靠性失效分析中的关键步骤。充分和合理的预分析是提高物性失效分析成功率的重要保障。本文主要根据不同的产品可靠性测试的失效类型和机理来介绍常用的预分析方法和手段,并通过具体的实例图片来阐述预分析的重要作用。将预分析融合于产品可靠性失效分析中,将取得事半功倍的效果。
刘云海简维廷张荣哲董伟淳
共1页<1>
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